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M24C08-DRMN3TP/K

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 8KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,M24C08-DRMN3TP/K的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M24C08-DRMN3TP/K的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M24C08-DRMN3TP/K 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款基于IC串行接口的8Kb EEPROM存储器芯片。该器件采用成熟的浮栅技术,构建了1K x 8位的非易失性存储阵列,确保在断电情况下数据能够长期可靠保存。其核心设计注重可靠性与耐久性,支持高达400万次的擦写周期,数据保存期限可超过40年,为关键参数的存储提供了坚实基础。芯片内置的写保护机制和唯一的器件识别码进一步增强了系统的安全性和可管理性。

在功能实现上,该芯片展现出高度的灵活性与鲁棒性。其工作电压范围宽达1.7V至5.5V,能够无缝兼容从低功耗微控制器到标准5V系统的多种供电环境,极大简化了电源设计。通信方面,它完全兼容IC总线标准,支持标准模式(100kHz)、快速模式(400kHz)和高速模式(1MHz)三种速率,最高时钟频率可达1MHz,实现了快速的数据吞吐。其页写操作支持最多16字节的连续写入,配合仅4ms的典型写周期时间和450ns的快速访问时间,有效提升了整体系统的数据存储效率。

该芯片的接口设计简洁,仅需两根信号线(串行时钟SCL和串行数据SDA)即可完成所有通信,极大节省了主控MCU的I/O资源。其引脚配置支持通过地址引脚A0、A1和A2进行硬件寻址,允许在同一IC总线上挂载多达8个同型号器件,扩展性强。在电气参数上,除了宽电压范围,其工作温度范围覆盖-40°C至125°C,完全满足汽车电子AEC-Q100标准的严苛要求,确保了在极端环境下的稳定运行。产品采用8引脚SOIC封装,适合表面贴装工艺,并提供卷带(TR)和剪切带(CT)包装以适应自动化生产线需求。

凭借其高可靠性、宽温宽压特性以及符合汽车级标准,M24C08-DRMN3TP/K 非常适用于对环境适应性和数据可靠性要求极高的领域。在汽车电子中,它常用于存储车辆配置参数、里程信息、故障诊断代码(DTC)以及传感器校准数据。在工业控制领域,可用于存储设备配置、生产日志或用户设定。此外,在消费电子、智能电表、医疗设备及通信模块中,它也常被用作小容量、高可靠性的参数存储单元。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过官方ST授权代理进行采购与咨询,以确保获得正品器件和完整的应用支持。

  • 型号:M24C08-DRMN3TP/K
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 8KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:8Kb
  • 存储器组织:1K x 8
  • 存储器接口:I2C
  • 时钟频率:1 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:4ms
  • 访问时间:450 ns
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
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M24C08-DRMN3TP/K 是ST意法半导体生产的一款8Kb容量串行EEPROM存储器,采用IC接口,最高通信速率达1MHz。该器件提供1K x 8位的非易失存储空间,支持高达400万次擦写周期,数据保存期限超过40年,确保了长期的数据可靠性。

其核心优势在于极宽的工作电压范围(1.7V至5.5V)和扩展的工业级工作温度范围(-40°C至125°C),并符合AEC-Q100汽车级标准,能够适应严苛的应用环境。器件采用8-SOIC封装,支持表面贴装,并提供卷带与剪切带包装选项,便于自动化生产。

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