M24C08-FMN6TP

M24C08-FMN6TP是ST意法半导体推出的一款基于IC串行接口的8Kb EEPROM存储器芯片。该器件采用成熟的CMOS EEPROM技术制造，其核心存储单元阵列组织为1K x 8位结构，通过一个高度集成的片上电荷泵电路生成编程所需的高压，从而实现了在宽电压范围内仅需单电源供电即可完成所有读写和擦除操作，简化了外围电路设计。

该芯片具备一系列旨在提升系统可靠性和设计灵活性的功能特性。其宽电压工作范围（1.7V至5.5V）使其能够无缝兼容从1.8V、3.3V到5V的各种逻辑系统，为电池供电设备或混合电压环境提供了极大的便利。支持高达400kHz的快速IC总线时钟频率，配合900ns的快速访问时间，确保了高效的数据传输速率。在数据保护方面，芯片提供了可编程的写保护功能，并内置了符合IC总线标准的器件地址识别机制，允许多达八个同类器件共享同一总线，有效扩展了系统存储容量。其页写入模式允许在一次写周期内连续写入多达16字节的数据，结合典型的5ms写周期时间，优化了多字节存储的效率。

在接口与电气参数层面，M24C08-FMN6TP严格遵循IC总线协议，通过串行数据线（SDA）和串行时钟线（SCL）与主控制器通信。其非易失特性保证了掉电后数据可保存超过200年，并支持高达400万次的写循环耐久性。芯片采用标准的8引脚SOIC封装，支持表面贴装工艺，工作温度范围覆盖工业级的-40°C至85°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购，以获得原装正品保障。

凭借其高可靠性、低功耗和易于集成的特点，M24C08-FMN6TP非常适合应用于需要存储配置参数、用户设定或运行日志的各类电子系统。典型应用场景包括智能电表、工业传感器节点、家用电器控制板、汽车电子模块（如车身控制单元）、医疗监护设备以及消费类电子产品等。其小巧的封装和宽温特性也使其成为空间受限或环境多变的嵌入式设计的理想选择。

• 型号:M24C08-FMN6TP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC EEPROM 8KBIT I2C 400KHZ 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:已验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:EEPROM
• 技术:EEPROM
• 存储容量:8Kb
• 存储器组织:1K x 8
• 存储器接口:I2C
• 时钟频率:400 kHz
• 写周期时间 - 字，页:5ms
• 访问时间:900 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
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M24C08-FMN6TP是STMicroelectronics生产的一款8Kb串行EEPROM存储器。该器件采用IC接口，支持高达400kHz的通信速率，并具备1.7V至5.5V的宽电源电压范围，兼容性强。其组织架构为1K x 8位，提供高效的数据存取能力。

该芯片提供页写操作，写周期时间典型值为5ms，并具备优异的耐用性（可达400万次写循环）与数据保持能力。其工业级工作温度范围（-40°C至85°C）和8-SOIC表面贴装封装，使其能够稳定应用于各种要求严苛的嵌入式系统和工业环境中。