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M24C08-RMN6TP的图片

M24C08-RMN6TP

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 8KBIT I2C 400KHZ 8SOIC
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,M24C08-RMN6TP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M24C08-RMN6TP的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M24C08-RMN6TP是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款基于IC串行接口的8Kb EEPROM存储器芯片。该器件采用成熟的CMOS EEPROM技术构建,其核心架构设计为1K x 8位的存储阵列,通过内部集成的地址锁存器、数据缓冲器和控制逻辑,实现了高效、可靠的串行数据存取。芯片内部集成了高压发生器,使其能够在单电源电压下完成擦写操作,简化了外围电路设计。其非易失特性确保在断电情况下数据能长期保存,典型数据保存期限可达40年以上。

该芯片的功能特点突出体现在其宽电压工作范围和高速操作上。它支持1.8V至5.5V的宽电压供电,使其能够无缝兼容从低功耗微控制器到传统5V系统的各种应用平台,极大地提升了设计的灵活性。其IC接口支持标准模式(100kHz)和快速模式(400kHz时钟频率),能够满足大多数中高速数据交换场景的需求。在数据写入方面,芯片支持字节写入和页写入模式,页大小为16字节,配合仅5ms的写周期时间,有效提升了批量数据存储的效率。其900ns的快速访问时间确保了主控设备能够及时读取数据,减少系统等待延迟。

在接口与关键参数层面,M24C08-RMN6TP采用标准的双线制IC串行接口(SDA和SCL),通过器件地址引脚(A0, A1, A2)可进行硬件寻址,允许多达8个同型号器件共享同一总线,方便系统容量扩展。其工作温度范围覆盖-40°C至85°C的工业级标准,保证了在严苛环境下的稳定运行。芯片采用8引脚SOIC封装,符合表面贴装(SMT)工艺要求,适合自动化生产。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST一级代理进行采购,以保障产品的原装正品和供应链安全。

基于其可靠的非易失存储、宽电压适应性和紧凑的封装,M24C08-RMN6TP非常适合应用于需要参数配置、数据记录或状态保存的各类电子设备。典型应用场景包括智能电表、家用电器、工业控制模块、汽车电子子系统(如车身控制模块)、医疗设备以及各类消费电子产品中的微控制器外围存储。其小尺寸和低功耗特性也使其成为便携式设备、物联网传感器节点等空间和功耗敏感型应用的理想选择。

  • 型号:M24C08-RMN6TP
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 8KBIT I2C 400KHZ 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:已验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:8Kb
  • 存储器组织:1K x 8
  • 存储器接口:I2C
  • 时钟频率:400 kHz
  • 写周期时间 - 字,页:5ms
  • 访问时间:900 ns
  • 电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 想获取M24C08-RMN6TP的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M24C08-RMN6TP是ST意法半导体生产的一款8Kb容量串行EEPROM存储器。该器件采用IC接口,支持高达400kHz的通信速率,并具备1.8V至5.5V的宽电压工作范围,兼容性出色。

其核心特性包括1K x 8位的存储结构、5ms的快速写周期时间以及900ns的访问时间。芯片采用8-SOIC表面贴装封装,工作温度范围为-40°C至85°C,满足工业级应用需求,适用于需要可靠非易失数据存储的各类电子系统。

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