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M24C08-WDW6TP的图片

M24C08-WDW6TP

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 8KBIT I2C 8TSSOP
原厂封装:封装:8-TSSOP
优势价格,M24C08-WDW6TP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M24C08-WDW6TP的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M24C08-WDW6TP是一款由意法半导体(STMicroelectronics)设计生产的串行EEPROM存储器芯片。该器件采用成熟的CMOS浮栅技术,构建了1K x 8位(即8Kb)的非易失性存储阵列。其核心架构基于IC(Inter-Integrated Circuit)串行接口总线,这是一种广泛采用的双线制通信协议,仅需串行数据线(SDA)和串行时钟线(SCL)即可实现与主控制器(如MCU)的数据交换,极大简化了系统布线和PCB设计。

该芯片的功能特点突出体现在其宽电压工作范围(2.5V至5.5V)上,使其能够无缝兼容从传统5V系统到现代低功耗3.3V乃至2.5V系统的多种供电环境,提升了设计的灵活性。其时钟频率最高可达400kHz,确保了在标准模式下高效的数据传输速率。在数据写入方面,它支持字节写入和页写入模式,页大小为16字节,其典型的写周期时间仅为5ms,而访问时间快至900ns,在需要频繁更新配置参数或记录运行数据的应用中表现出色。其工作温度范围覆盖-40°C至85°C,保证了在严苛工业环境下的可靠运行。

在接口与参数层面,M24C08-WDW6TP严格遵循IC总线规范,通过可编程的硬件地址引脚(A0, A1, A2)允许在同一总线上挂接多达8个同型号器件,方便系统扩展。其数据保存期限典型值超过40年,每个存储单元可承受至少100万次的擦写循环,耐用性满足绝大多数应用需求。该芯片采用8引脚TSSOP表面贴装封装,体积小巧,适合高密度PCB布局。用户可通过ST授权代理渠道获取完整的技术支持与供货保障。

凭借其稳定的性能和紧凑的封装,M24C08-WDW6TP非常适合应用于需要可靠存储少量关键数据的场景。典型应用包括消费电子产品(如电视、机顶盒)中的用户设置与状态保存,工业控制系统中的参数配置与校准数据存储,通信模块中的设备标识信息记录,以及各类智能电表、传感器节点中的历史数据缓存。其不适用于新设计的零件状态提示工程师在启动全新项目时,应优先考虑制造商推荐的更新换代型号,但对于现有产品的维护、升级或成本敏感型设计,它依然是一个经过市场验证的可靠选择。

  • 型号:M24C08-WDW6TP
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-TSSOP
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 8KBIT I2C 8TSSOP
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:不适用于新设计
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:8Kb
  • 存储器组织:1K x 8
  • 存储器接口:I2C
  • 时钟频率:400 kHz
  • 写周期时间 - 字,页:5ms
  • 访问时间:900 ns
  • 电压 - 供电:2.5V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-TSSOP
  • 想获取M24C08-WDW6TP的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M24C08-WDW6TP是ST意法半导体推出的一款8Kb容量串行EEPROM存储器,采用IC接口和表面贴装型8-TSSOP封装。该器件提供1K x 8位的非易失性存储空间,支持400kHz的快速时钟频率,并具备2.5V至5.5V的宽电压供电能力,兼容性广泛。

其核心特性包括5ms的快速写周期时间、900ns的访问时间以及-40°C至85°C的宽工作温度范围,确保了在工业与消费类应用中的数据读写效率与环境适应性。该芯片适用于需要可靠存储配置参数、校准数据或运行日志的各类电子系统。

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