M24C08-WMN6TP

M24C08-WMN6TP是ST意法半导体推出的一款基于IC串行接口的8Kb EEPROM存储器芯片。该器件采用成熟的CMOS浮栅技术制造，其核心存储单元阵列组织为1K x 8位结构，提供了可靠的非易失性数据存储能力。其内部集成了高压发生器，使得在单一2.5V至5.5V的宽电压范围内进行编程和擦除操作成为可能，无需外部提供高电压，极大地简化了系统电源设计。芯片内置的地址寄存器与自动递增逻辑，支持高效的顺序读取操作，提升了数据访问效率。

在功能特性上，该芯片支持标准的IC总线协议，最高时钟频率可达400kHz，确保了与主控制器之间快速的数据传输。它具备页写入模式，允许在一个写周期内连续写入最多16字节的数据，结合5ms的典型字节/页写入时间，有效减少了整体数据更新所需的操作时间。其数据保持期限典型值超过40年，每个存储单元可承受至少400万次的写循环，展现了出色的耐久性与数据可靠性。为了确保系统稳定，芯片内部集成了写保护功能，可通过软件指令或硬件写保护引脚（WP）来防止对存储阵列的意外写入。

接口与电气参数方面，M24C08-WMN6TP完全兼容IC总线标准，支持从机寻址，并可通过地址引脚A2、A1、A0配置多达8个器件共享同一总线。其900ns的最大访问时间保证了快速的读取响应。器件工作温度范围覆盖-40°C至85°C的工业级标准，使其能够适应苛刻的环境条件。该芯片采用8-SOIC表面贴装封装，支持卷带（TR）或剪切带（CT）包装，适合自动化贴片生产。用户可通过ST授权代理获取完整的技术支持与供应链服务。

凭借其宽电压工作范围、高可靠性、标准接口和小型封装，M24C08-WMN6TP非常适用于需要存储配置参数、校准数据、用户设置或事件日志的各类电子系统。典型应用场景包括工业控制与自动化设备中的参数备份、消费电子产品（如智能家电、机顶盒）中的用户数据存储、通信模块中的设备标识与配置信息存储，以及汽车电子中的非关键数据记录等，为系统设计提供了稳定、经济且易于集成的非易失性存储解决方案。

• 型号:M24C08-WMN6TP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC EEPROM 8KBIT I2C 400KHZ 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• 南皇电子 可编程:已验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:EEPROM
• 技术:EEPROM
• 存储容量:8Kb
• 存储器组织:1K x 8
• 存储器接口:I2C
• 时钟频率:400 kHz
• 写周期时间 - 字，页:5ms
• 访问时间:900 ns
• 电压 - 供电:2.5V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 想获取M24C08-WMN6TP的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M24C08-WMN6TP是ST意法半导体生产的一款8Kb容量串行EEPROM存储器。该器件采用IC接口，支持最高400kHz的通信速率，并在2.5V至5.5V的宽电源电压范围内工作，为各种供电系统提供了高度的设计灵活性。

其核心特性包括高达400万次的擦写周期、超过40年的数据保持能力以及5ms的快速写入时间，确保了数据的长期可靠存储与高效更新。器件提供工业级工作温度范围（-40°C至85°C）和8-SOIC表面贴装封装，适合对可靠性和空间有要求的广泛应用。