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STGP14NC60KD

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分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IGBT 600V 25A TO-220
原厂封装:封装:TO-220
优势价格,STGP14NC60KD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STGP14NC60KD的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STGP14NC60KD是意法半导体(STMicroelectronics)基于其先进的PowerMESH技术平台开发的一款分立式绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。该器件采用TO-220-3通孔封装,集成了优化的沟槽栅场截止型(Field-Stop)单元结构,这种架构在实现高电流密度的同时,有效降低了饱和压降(Vce(sat))和开关损耗,为功率转换应用提供了高效、紧凑的解决方案。

该IGBT的核心优势在于其出色的电气性能平衡。其集电极-发射极击穿电压高达600V,最大连续集电极电流为25A,脉冲电流能力可达50A,确保了在工业级应用中的高可靠性。在典型工作条件下(Vge=15V, Ic=7A),其最大饱和压降仅为2.5V,这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时,其开关性能经过精心优化,开启延迟时间(Td(on))为22.5ns,关断延迟时间(Td(off))为116ns,结合82J的开启能量和155J的关断能量,使其在高达数十kHz的开关频率下仍能保持优异的性能,有效降低了开关过程中的热应力。

在接口与参数层面,STGP14NC60KD设计为标准输入型,栅极驱动电压兼容常见的15V电平,栅极电荷(Qg)为34.4nC,有助于简化驱动电路设计并降低对栅极驱动器的要求。其反向恢复时间(trr)为37ns,有助于减少续流二极管(通常与IGBT配合使用)关断时的反向恢复损耗和电磁干扰。器件的最大功耗为80W,结温工作范围宽达-55°C至150°C,结合TO-220封装良好的散热特性,使其能够适应苛刻的环境。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

得益于其高电压、高效率和高鲁棒性的特点,STGP14NC60KD非常适合应用于各类中功率开关模式电源(SMPS),如服务器电源、通信电源和工业电源。此外,它也是电机驱动和控制领域的理想选择,常见于变频器、不间断电源(UPS)、电焊机以及家用电器(如空调、洗衣机)的逆变模块中,为实现节能和精准控制提供了可靠的功率开关核心。

  • 型号:STGP14NC60KD
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT 600V 25A TO-220
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • IGBT 类型:-
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):25 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):50 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,7A
  • 功率 - 最大值:80 W
  • 开关能量:82J(导通),155J(关断)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:34.4 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:22.5ns/116ns
  • 测试条件:390V,7A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr):37 ns
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商器件封装:TO-220
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STGP14NC60KD是ST意法半导体推出的一款600V、25A分立IGBT,采用TO-220封装,隶属于高性能PowerMESH产品系列。该器件在15V栅极驱动下,饱和压降典型值低至2.5V(@7A),有效降低了导通损耗,其最大功耗为80W。

该IGBT具备优异的开关特性,开启与关断延迟时间短,开关能量低,支持较高频率的开关操作。其工作结温范围宽(-55°C ~ 150°C),结合50A的脉冲电流能力,确保了在动态负载条件下的高可靠性与鲁棒性,适用于对效率和可靠性有严苛要求的功率转换场景。

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