M24C16-DRMN3TP/K

M24C16-DRMN3TP/K 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的16Kb串行EEPROM存储器芯片，采用成熟的CMOS浮栅技术制造。该器件内部组织为2K x 8位，其核心架构基于一个高度可靠的存储单元阵列，并集成了完整的IC接口逻辑、地址寄存器、数据缓冲器以及高压生成电路，以实现单电源供电下的擦写操作。其设计确保了在宽电压和温度范围内的数据保持与读写稳定性，满足汽车电子等高可靠性应用的要求。

该芯片的功能特点突出体现在其宽电压工作范围（1.7V至5.5V）与高达1MHz的快速IC总线时钟频率上，这使其能够无缝兼容从低功耗微控制器到高性能处理器的多种系统平台。页写模式允许在一次操作中连续写入多达16字节的数据，结合典型的4ms写周期时间，有效提升了数据存储效率。其访问时间为450ns，确保了快速的数据读取响应。作为符合AEC-Q100标准的汽车级产品，它能够在-40°C至125°C的极端环境温度下稳定工作，保证了在发动机舱、车身控制等恶劣条件下的长期可靠性。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过ST中国代理获取该产品的详细信息与供货服务。

在接口与电气参数方面，M24C16-DRMN3TP/K采用标准的双线IC串行接口，支持高达400kHz和1MHz两种模式，通过器件地址引脚可配置多个从机地址，方便系统扩展。其非易失特性确保掉电后数据可保存长达200年。芯片采用节省空间的8引脚SOIC封装，支持表面贴装工艺，便于集成到紧凑的PCB设计中。这些参数共同定义了一款高性能、高可靠性的通用型串行存储器解决方案。

基于其稳健的性能和汽车级认证，M24C16-DRMN3TP/K非常适合应用于对可靠性和环境适应性有严苛要求的领域。典型应用场景包括汽车电子系统中的里程表数据存储、空调设置、安全气囊配置参数，以及工业控制、医疗设备、智能电表、消费电子等需要存储校准数据、用户偏好或运行日志的非易失性存储场合。其宽压特性也使其成为电池供电便携设备的理想选择。

• 型号:M24C16-DRMN3TP/K
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC EEPROM 16KBIT I2C 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:EEPROM
• 技术:EEPROM
• 存储容量:16Kb
• 存储器组织:2K x 8
• 存储器接口:I2C
• 时钟频率:1 MHz
• 写周期时间 - 字，页:4ms
• 访问时间:450 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
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M24C16-DRMN3TP/K 是意法半导体推出的一款16Kb（2K x 8）串行EEPROM存储器。该器件采用标准的IC接口，支持高达1MHz的通信时钟频率，并具备1.7V至5.5V的宽工作电压范围，兼容性强。

作为一款符合AEC-Q100标准的汽车级产品，它保证了在-40°C至125°C的扩展工业温度范围内的可靠运行。其页写功能、4ms的写周期时间以及长达200年的数据保存期，使其成为需要高可靠性和非易失性数据存储的汽车电子、工业控制及消费类应用的理想选择。器件采用8-SOIC表面贴装封装。