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M24C32-DRDW3TP/K的图片

M24C32-DRDW3TP/K

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 32KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP
原厂封装:封装:8-TSSOP
优势价格,M24C32-DRDW3TP/K的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M24C32-DRDW3TP/K的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M24C32-DRDW3TP/K是ST意法半导体推出的一款基于先进EEPROM技术的非易失性存储器芯片。其核心架构采用经过验证的CMOS工艺,内部组织为4K x 8位的存储阵列,总计提供32Kb的存储容量。该器件集成了完整的IC总线接口控制器和高压生成电路,能够在单芯片内完成地址解码、数据传输和存储单元擦写等所有关键操作,确保了系统设计的简洁性和可靠性。

该芯片的功能特点突出体现在其宽电压工作范围和卓越的耐用性上。它支持1.8V至5.5V的宽电压供电,使其能够无缝兼容从低功耗微控制器到传统5V系统的各类平台。其IC串行接口支持标准模式(100kHz)、快速模式(400kHz)和高速模式(1MHz),最高时钟频率可达1MHz,实现了快速的数据吞吐。在数据可靠性方面,该器件提供高达100万次的擦写周期和超过40年的数据保存期限,写周期时间(字或页)典型值为4ms,访问时间仅为450ns,在频繁读写和数据持久保存之间取得了良好平衡。

在接口与关键参数层面,该器件严格遵循IC总线协议,通过双线(串行数据线SDA和串行时钟线SCL)进行通信,支持软件写保护和通过专用引脚(WC)的硬件写保护,增强了数据安全性。其工作温度范围覆盖-40°C至125°C,符合AEC-Q100汽车级标准,能够满足严苛环境下的稳定运行需求。产品采用8引脚TSSOP表面贴装封装,适合高密度PCB布局,并通过了卷带(TR)和剪切带(CT)包装,便于自动化生产。对于需要稳定供应的客户,可以通过授权的ST中国代理获取原厂正品和技术支持。

凭借其高可靠性、宽温宽压特性以及紧凑的封装,M24C32-DRDW3TP/K非常适合应用于要求苛刻的汽车电子领域,如车身控制模块(BCM)、仪表盘、传感器数据记录和事件数据记录器(EDR)。此外,在工业自动化、智能电表、医疗设备、消费电子及物联网终端节点中,它也是存储配置参数、校准数据、用户设置和运行日志的理想选择,为系统提供了关键的非易失性数据存储解决方案。

  • 型号:M24C32-DRDW3TP/K
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-TSSOP
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 32KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:32Kb
  • 存储器组织:4K x 8
  • 存储器接口:I2C
  • 时钟频率:1 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:4ms
  • 访问时间:450 ns
  • 电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-TSSOP
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M24C32-DRDW3TP/K是STMicroelectronics推出的一款32Kb容量的串行EEPROM存储器。该器件采用成熟的EEPROM技术,通过标准IC接口进行通信,最高支持1MHz的时钟频率,确保了高效的数据传输速率。

其核心优势在于1.8V至5.5V的宽电压工作范围-40°C至125°C的扩展工业级温度范围,并符合AEC-Q100标准,具备优异的环境适应性。器件提供高达100万次的擦写周期和超过40年的数据保存能力,典型页写入时间为4ms,访问时间为450ns,在可靠性、耐用性与性能之间实现了优化平衡。

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