M24C32-DRMN3TP/K

M24C32-DRMN3TP/K是ST意法半导体推出的一款基于先进CMOS技术的32Kb串行EEPROM存储器。该器件采用高密度浮栅工艺制造，其核心架构由一个4K x 8位的存储阵列、一个片上地址/数据寄存器和完整的IC协议控制器组成。这种设计确保了在宽电压范围内的稳定数据读写操作，并通过内置的纠错机制和写保护逻辑，为数据完整性提供了硬件级保障。

该芯片的功能特点突出体现在其宽电压工作范围（1.8V至5.5V）与扩展的工业级温度范围（-40°C至125°C）上，这使其能够适应从低功耗电池供电设备到严苛汽车电子环境的各种应用。其IC串行接口支持标准模式（100kHz）、快速模式（400kHz）和高速模式（1MHz），提供了灵活的系统连接方案。页写能力高达32字节，结合仅4ms的典型写周期时间，显著提升了数据存储效率。此外，器件提供超过400万次的写循环耐久性和长达100年的数据保持期，确保了长期可靠性。对于需要稳定供应链支持的客户，可以通过授权的ST代理获取该产品。

在接口与关键参数方面，M24C32-DRMN3TP/K采用标准的双线制IC接口，通过SDA（串行数据）和SCL（串行时钟）线与微控制器通信，最多支持8个器件通过不同的硬件可编程地址位连接到同一总线。其访问时间仅为450ns，支持字节写和页写操作模式。器件采用8引脚SOIC封装，符合表面贴装（SMT）工艺要求，便于自动化生产。其设计完全符合AEC-Q100汽车级标准，满足汽车电子对高可靠性和长寿命的严格要求。

基于其稳健的性能，该EEPROM非常适合应用于需要可靠参数存储、事件记录或配置数据保存的场景。典型应用包括汽车电子系统中的车身控制模块（BCM）、仪表盘、传感器数据记录，以及工业控制、医疗设备、智能电表、消费类电子产品等领域。其非易失特性确保在系统断电后关键信息不丢失，是构建可靠嵌入式系统的关键存储组件。

• 型号:M24C32-DRMN3TP/K
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC EEPROM 32KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:EEPROM
• 技术:EEPROM
• 存储容量:32Kb
• 存储器组织:4K x 8
• 存储器接口:I2C
• 时钟频率:1 MHz
• 写周期时间 - 字，页:4ms
• 访问时间:450 ns
• 电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
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M24C32-DRMN3TP/K是一款由ST意法半导体生产的32Kb（4K x 8）串行EEPROM存储器，采用IC接口，最高时钟频率可达1MHz。该器件设计用于满足汽车电子（AEC-Q100认证）及其他高可靠性应用的需求，提供从1.8V至5.5V的宽电压供电范围和-40°C至125°C的宽工作温度范围。

其核心特性包括高达32字节的页写能力、4ms的快速写周期时间以及450ns的访问时间，有效提升了数据吞吐效率。器件采用8-SOIC表面贴装封装，支持卷带包装，适用于自动化生产线。这些参数共同构成了其在严苛环境下实现可靠、非易失性数据存储的核心价值。