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M24C32-WMN6P的图片

M24C32-WMN6P

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 32KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,M24C32-WMN6P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M24C32-WMN6P的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M24C32-WMN6P是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款基于先进CMOS技术的串行电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)。该器件采用高密度浮栅工艺制造,其核心架构设计为4K x 8位的存储阵列,总容量为32Kb。内部集成了完整的地址解码器、电荷泵升压电路以及数据锁存与控制逻辑,确保了在单电源供电下高效、可靠地完成编程和擦除操作。其非易失特性意味着在断电后数据可保存长达200年,为系统关键参数的长期存储提供了坚实基础。

该芯片的功能特点突出体现在其高速IC串行接口上,支持标准模式(100kHz)、快速模式(400kHz)以及高速模式(1MHz)三种通信速率,为系统设计提供了灵活的时序选择。宽电压工作范围(2.5V至5.5V)使其能够无缝兼容从低功耗微控制器到标准5V逻辑系统的各类平台。其页写入能力允许一次性连续写入多达32字节的数据,配合仅5ms的典型页写入周期,显著提升了数据批量存储的效率。此外,器件内置的写保护机制和独特的设备地址识别功能,增强了多设备总线应用的可靠性与安全性。

在接口与电气参数方面,M24C32-WMN6P采用标准的双线IC接口(串行时钟SCL和串行数据SDA),极大简化了与主控器的连接。其访问时间仅为450ns,支持高达1MHz的时钟频率,能够满足大多数实时系统的数据存取需求。该器件采用8引脚SOIC封装,符合表面贴装(SMT)工艺要求,适合自动化生产。其工作温度范围覆盖-40°C至85°C的工业级标准,确保了在严苛环境下的稳定运行。用户可通过正规的ST授权代理渠道获取该产品,以保证芯片的原始品质和供货稳定性。

凭借其可靠的性能、小巧的封装和易于集成的特点,M24C32-WMN6P广泛应用于需要存储配置参数、校准数据、用户设置或事件日志的各类电子系统中。典型应用场景包括工业控制与自动化设备、智能电表、汽车电子模块(如车身控制单元)、医疗仪器、消费类电子产品(如电视、机顶盒)以及物联网(IoT)传感器节点。其低功耗特性也使其成为电池供电便携设备的理想选择。

  • 型号:M24C32-WMN6P
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 32KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:不适用于新设计
  • 南皇电子 可编程:已验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:32Kb
  • 存储器组织:4K x 8
  • 存储器接口:I2C
  • 时钟频率:1 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:5ms
  • 访问时间:450 ns
  • 电压 - 供电:2.5V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 想获取M24C32-WMN6P的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M24C32-WMN6P是ST意法半导体生产的一款32Kb容量串行EEPROM存储器。该器件采用标准的IC接口,最高支持1MHz通信时钟频率,提供了高效、简洁的双线数据交换方案。其宽电压供电范围(2.5V至5.5V)和工业级工作温度(-40°C至85°C)确保了其在多样化应用环境中的兼容性与可靠性。

该芯片组织架构为4K x 8位,具备快速的页写入(32字节页,5ms写周期)和450ns访问时间,能满足实时系统的数据存储需求。采用8-SOIC表面贴装封装,非易失特性保证数据长期保存,适用于需要可靠存储配置参数、校准数据或用户信息的各类电子系统。

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