STP200NF03

STP200NF03是ST意法半导体基于其先进的STripFET III技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直沟槽栅极架构，通过精细的单元设计和工艺控制，在单位面积内实现了极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。其核心设计目标是在30V的中等电压等级下，提供高达120A的连续电流处理能力，同时将功率损耗降至最低，这使其成为高效率功率转换系统中的关键元件。

该MOSFET的突出特性在于其卓越的导通性能，在10V栅极驱动电压、60A漏极电流条件下，导通电阻（R_DS(on)）典型值低至3.6毫欧。如此低的导通电阻直接转化为更低的传导损耗，显著提升了系统在重载条件下的效率。同时，其栅极电荷（Q_g）被控制在140nC（@10V）的水平，结合适中的输入电容，有助于降低开关过程中的驱动损耗，实现更快的开关速度，这对于高频开关应用至关重要。其栅源电压（V_GS）最大额定值为±20V，提供了稳健的驱动安全裕度。

在电气参数方面，STP200NF03的漏源击穿电压（V_DSS）为30V，适用于常见的12V或24V总线系统。其阈值电压（V_GS(th)）最大值为4V，确保了良好的噪声免疫能力。器件采用经典的TO-220AB通孔封装，具有良好的机械强度和成熟的散热处理方案，在管壳温度（T_{C）下最大功率耗散可达300W，工作结温范围宽达-55°C至175°C，保证了在严苛环境下的可靠运行。用户可通过官方ST代理获取完整的技术支持与供应链服务。}

凭借高电流能力、低导通电阻和快速的开关特性，该器件非常适合用于要求高效率和高功率密度的场合。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC同步整流、电机驱动控制中的H桥或半桥拓扑、大电流负载开关以及不间断电源（UPS）系统中的功率转换模块。其设计旨在替代传统方案，在相同的占板空间内提供更高的输出电流和更优的热性能，是工程师进行电源系统升级或新设计的优选功率开关器件之一。

• 型号:STP200NF03
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:140 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4950 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP200NF03是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET III产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心优势在于其极低的导通电阻与高电流处理能力的结合，其漏源电压（V_DSS）为30V，在管壳温度下连续漏极电流（I_D）高达120A。

其关键技术参数包括：在10V栅极驱动、60A电流条件下，导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为3.6毫欧，这极大地降低了传导损耗。同时，140nC的栅极电荷（Q_g）有助于实现高效的开关性能。这些特性使其成为同步整流、电机驱动和大电流开关等应用中提升系统效率与功率密度的理想选择。