M24C64-DRMF3TG/K

M24C64-DRMF3TG/K是一款由ST意法半导体推出的64Kb串行EEPROM存储器芯片，采用先进的CMOS技术制造。该器件基于成熟的浮栅单元架构，通过IC双线串行接口进行通信，其内部组织为8K x 8位，即8192个字节，每个字节均可独立寻址。这种架构确保了数据的可靠存储与快速访问，其非易失特性意味着在断电后数据仍能长期保持，为系统关键参数的保存提供了坚实基础。

该芯片的功能设计充分考虑了工业与汽车应用的严苛要求。它支持高达1MHz的快速时钟频率，并具备页写操作能力，可在一个写周期内连续写入多达32字节的数据，显著提升了数据写入效率。宽电压供电范围（1.8V至5.5V）使其能够无缝兼容多种逻辑电平系统，增强了设计的灵活性。其访问时间仅为450ns，字或页的典型写周期时间为4ms，在保证数据完整性的同时，优化了系统的响应速度。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过专业的ST芯片代理获取该产品及相关技术支持。

在接口与关键参数方面，M24C64-DRMF3TG/K严格遵循IC总线协议，通过串行数据线（SDA）和串行时钟线（SCL）与微控制器进行通信，最多支持两个器件通过硬件可编程地址引脚共享同一总线。其工作温度范围覆盖-40°C至125°C，并符合AEC-Q100汽车级标准，确保了在极端环境下的稳定性和耐久性。芯片采用节省空间的8引脚MLP（8-WFDFN）表面贴装封装，支持卷带（TR）和剪切带（CT）包装，非常适合自动化贴装生产流程。

凭借其高可靠性、宽温操作和紧凑封装，M24C64-DRMF3TG/K非常适合应用于对数据存储有苛刻要求的领域。在汽车电子中，常用于存储里程信息、发动机参数、安全系统配置等；在工业控制领域，可用于保存设备校准数据、生产日志和用户设置；此外，在智能电表、医疗设备、消费电子及通信模块中，它也是存储配置参数和事件记录的理想选择，为各类嵌入式系统提供了稳定、高效的非易失存储解决方案。

• 型号:M24C64-DRMF3TG/K
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-MLP（2x3）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 8MLP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:EEPROM
• 技术:EEPROM
• 存储容量:64Kb
• 存储器组织:8K x 8
• 存储器接口:I2C
• 时钟频率:1 MHz
• 写周期时间 - 字，页:4ms
• 访问时间:450 ns
• 电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-WFDFN 焊盘
• 供应商器件封装:8-MLP（2x3）
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M24C64-DRMF3TG/K是ST意法半导体推出的一款64Kb（8K x 8）串行EEPROM存储器，采用IC接口，时钟频率高达1MHz。该器件提供非易失性数据存储，字或页的典型写周期时间为4ms，访问时间为450ns，确保了高效的数据读写性能。

其核心优势在于宽电压供电范围（1.8V至5.5V）和宽广的工作温度范围（-40°C至125°C），并符合AEC-Q100汽车级标准，具备卓越的环境适应性。芯片采用8-WFDFN表面贴装封装，支持卷带和剪切带包装，适用于要求高可靠性、小尺寸的汽车电子、工业控制及各类嵌入式系统应用。