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ESM4045DV

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN DARL 450V 42A ISOTOP
原厂封装:封装:ISOTOP
优势价格,ESM4045DV的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ESM4045DV的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

ESM4045DV是ST意法半导体推出的一款高性能NPN达林顿功率晶体管,采用坚固的ISOTOP封装,专为高电压、大电流的开关和线性放大应用而设计。其核心架构基于成熟的达林顿对管配置,将两个双极型晶体管以复合形式连接,从而在单颗器件内实现了极高的电流增益。这种设计使得该器件能够以相对较小的基极驱动电流,精确控制高达42安培的集电极负载电流,同时维持出色的热稳定性和电气可靠性。

该器件的功能特点突出体现在其强大的功率处理能力上。450V的集射极击穿电压使其能够从容应对工业级AC-DC转换、电机驱动等场景中常见的电压应力和反峰电压。高达150W的最大功耗配合底座安装方式,确保了热量能够通过散热器高效导出,维持芯片结温在安全范围内。其饱和压降在35A大电流下仅为1.4V,这意味着在导通状态下的功率损耗极低,有助于提升整体系统的能效。此外,在35A,5V条件下最小220的直流电流增益(hFE),显著降低了前级驱动电路的设计复杂度和成本。

在接口与关键参数方面,ESM4045DV定义了明确的操作边界。其工作结温高达150°C,赋予了系统在恶劣环境下稳定运行的潜力。ISOTOP封装不仅提供了优异的电气隔离和机械强度,也优化了功率循环下的热疲劳性能。对于需要可靠供应链和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST中国代理获取相关的产品资料、样品以及设计协助。尽管该产品目前已处于停产状态,但其成熟的设计和经过验证的性能,使其在现有系统的维护和特定长期项目中仍具参考价值。

ESM4045DV典型的应用场景覆盖了多种工业与消费电子领域。它非常适合用作开关模式电源(SMPS)中的主开关管、不间断电源(UPS)的逆变级、以及交流电机驱动器和电子镇流器的功率输出级。其高耐压和大电流特性也使其成为音频功率放大器中输出级的可靠选择。在设计此类高压、高功率密度的系统时,ESM4045DV所提供的性能参数为工程师实现高效、紧凑且可靠的解决方案奠定了坚实基础。

  • 型号:ESM4045DV
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:ISOTOP
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN DARL 450V 42A ISOTOP
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):42 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):450 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):1.4V @ 2A,35A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):-
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):220 @ 35A,5V
  • 功率 - 最大值:150 W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:ISOTOP
  • 供应商器件封装:ISOTOP
  • 想获取ESM4045DV的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

ESM4045DV是ST意法半导体生产的一款NPN达林顿功率晶体管,采用ISOTOP底座安装封装。该器件核心卖点在于其450V的高集射极击穿电压42A的最大集电极电流能力,结合达林顿结构带来的高电流增益,使其能够高效驱动大功率负载。

150W的最大功耗和低至1.4V @ 35A的饱和压降,确保了在高功率开关及线性放大应用中具备优异的能效表现与热管理潜力。尽管产品状态为停产,但其参数指标依然标志着其在工业电源、电机驱动等高压大电流场合曾是一款经典的高可靠性功率解决方案。

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