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M24C64-FMN6TP

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,M24C64-FMN6TP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M24C64-FMN6TP的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M24C64-FMN6TP是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款基于成熟EEPROM技术的高性能非易失性存储器芯片。该器件采用先进的CMOS工艺制造,其核心架构围绕一个组织为8K x 8位(即64Kb总容量)的存储阵列构建,每个字节均可独立进行擦除和编程操作,提供了极高的数据存储灵活性。芯片内部集成了必要的地址解码器、控制逻辑和高电压生成电路,确保了在单电源供电下可靠完成所有读写操作。

该芯片的功能特点突出体现在其兼容标准IC(Inter-Integrated Circuit)串行接口,最高时钟频率可达1MHz,实现了高速数据传输与简洁的硬件连接。其工作电压范围宽达1.7V至5.5V,使其能够无缝适应从低功耗便携设备到标准工业系统的多种电源环境。写周期时间(字或页)典型值为5ms,访问时间仅为450ns,在保证数据可靠写入的同时,提供了快速的读取响应。此外,器件内置了写保护功能,可通过硬件引脚进行控制,有效防止意外数据篡改。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过授权的ST代理商获取原装正品和技术支持。

在接口与关键参数方面,M24C64-FMN6TP严格遵循IC总线协议,支持高达400kHz(快速模式)和1MHz(快速模式增强版)的通信速率,并可通过三个地址引脚配置多达8个不同的器件地址,方便在同一总线上进行多器件扩展。其非易失特性保证了在断电情况下数据可保存超过40年,耐受100万次擦写循环。芯片采用表面贴装型的8引脚SOIC封装,尺寸紧凑,适合高密度PCB板设计。其工业级工作温度范围覆盖-40°C至85°C,确保了在苛刻环境下的稳定运行。

凭借其高可靠性、宽电压兼容性和标准接口,M24C64-FMN6TP广泛应用于需要参数存储、配置信息保存或事件记录的各种电子系统中。典型应用场景包括但不限于:消费电子产品(如智能电视、机顶盒)、工业控制与自动化设备(用于存储校准数据、设备参数)、通信模块、医疗仪器仪表以及汽车电子中的车身控制模块等,是系统设计中实现灵活、可靠数据存储的优选解决方案。

  • 型号:M24C64-FMN6TP
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:已验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:64Kb
  • 存储器组织:8K x 8
  • 存储器接口:I2C
  • 时钟频率:1 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:5ms
  • 访问时间:450 ns
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 想获取M24C64-FMN6TP的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M24C64-FMN6TP是意法半导体生产的一款64Kb容量串行EEPROM存储器。该器件采用标准的IC串行接口,最高支持1MHz通信时钟,实现了高速数据交换与简化的系统互联。其宽电压供电范围(1.7V至5.5V)与工业级工作温度范围(-40°C至85°C)赋予了其出色的环境适应性。

该芯片提供8K x 8位的存储结构,具备快速的访问时间(450ns)和可靠的写操作周期(5ms)。其非易失特性确保数据长期保存,并支持高达100万次的擦写循环。采用8-SOIC表面贴装封装,适用于对空间和可靠性有较高要求的各类嵌入式存储应用。

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