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M24C64-RMN6P的图片

M24C64-RMN6P

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,M24C64-RMN6P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M24C64-RMN6P的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M24C64-RMN6P是ST意法半导体推出的一款采用先进CMOS技术设计的64Kb串行EEPROM存储器。该芯片内部架构基于高度可靠的浮栅单元技术,通过一个8字节页寄存器实现高效的数据缓冲,其存储阵列组织为8K x 8位,确保了字节级和页级编程操作的灵活性。芯片内部集成了完整的地址解码器、高压发生器和数据恢复电路,这些单元协同工作,在保证数据非易失性的同时,实现了极低的功耗和稳定的性能。

该器件最显著的功能特性之一是其兼容IC双线串行接口,最高时钟频率可达1MHz,支持快速模式(Fast-mode)和快速模式增强版(Fast-mode Plus),为高速数据传输提供了保障。其宽电压工作范围(1.8V至5.5V)使其能够无缝兼容从低功耗微控制器到标准5V系统的各类平台,极大地增强了设计的通用性。在数据可靠性方面,它提供了超过400万次的擦写周期和长达100年的数据保存期限,其内置的写保护机制和可选的软件写保护功能,为关键配置参数或用户数据提供了额外的安全层。对于需要稳定供应链的客户,通过ST一级代理可以获得原厂正品保障和全面的技术支持。

在接口与关键参数层面,M24C64-RMN6P的访问时间仅为450ns,页写入周期典型值为5ms,支持高达32字节的页写操作,显著提升了多字节连续写入的效率。其IC接口支持标准的100kHz和400kHz模式,以及1MHz的高速模式,并具有三个地址选择引脚,允许在同一总线上挂接多达八个同类器件,方便系统扩展。芯片采用工业标准的8引脚SOIC封装,支持-40°C至85°C的宽温工作范围,满足严苛的工业环境应用需求。

凭借其高可靠性、低功耗和易于集成的特点,M24C64-RMN6P非常适合应用于需要存储配置参数、校准数据、用户设置或事件日志的各类电子系统。典型应用场景包括工业自动化中的传感器模块、智能电表、医疗设备、汽车电子(如车身控制模块)、消费电子产品(如电视、机顶盒)以及物联网(IoT)终端节点。其小巧的封装和简单的两线接口,使其成为空间受限且对成本敏感的设计中的理想存储解决方案。

  • 型号:M24C64-RMN6P
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:已验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:64Kb
  • 存储器组织:8K x 8
  • 存储器接口:I2C
  • 时钟频率:1 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:5ms
  • 访问时间:450 ns
  • 电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 想获取M24C64-RMN6P的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M24C64-RMN6P是STMicroelectronics生产的一款64Kb(8K x 8)串行EEPROM存储器。该器件采用标准的IC两线制接口,最高通信频率可达1MHz,支持快速的数据读写操作。其核心优势在于1.8V至5.5V的宽电压供电范围,使其能够灵活适配多种逻辑电平系统,同时具备低功耗特性。

该芯片提供高达400万次的擦写周期和长达100年的数据保存能力,确保了数据的长期可靠性与耐久性。其页写入周期为5ms,支持页写操作,提升了批量数据存储的效率。采用8-SOIC表面贴装封装,工作温度范围为-40°C至85°C,适用于对可靠性和环境适应性有较高要求的工业和消费类应用。

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