STH240N75F3-2

作为ST意法半导体STripFET III系列中的一员，STH240N75F3-2是一款采用先进沟槽栅工艺的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现极低的单位面积导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_g）的乘积，这是衡量开关效率与损耗的关键品质因数（FOM）。该器件采用H2PAK-2表面贴装封装，这种封装形式提供了卓越的功率处理能力和散热性能，同时满足高密度PCB布局的需求。

该MOSFET在10V栅极驱动电压下，能够提供高达180A的连续漏极电流（T_C=25°C），而其导通电阻在90A电流条件下低至3毫欧（典型值）。这一特性显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体能效。同时，其栅极电荷（Q_g）最大值仅为87nC，结合适中的输入电容，有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，并简化栅极驱动电路的设计。其栅源电压（V_GS）耐受范围为±20V，为驱动提供了充足的裕量。

在电气参数方面，STH240N75F3-2的漏源击穿电压（V_DSS）为75V，适用于常见的48V及以下总线电压应用。其阈值电压（V_GS(th)）最大值为4V，确保了良好的噪声免疫能力。器件支持高达175°C的结温（T_J）工作，最大功率耗散能力为300W（T_C），展现了其在高热应力环境下的可靠性。用户可通过官方ST代理获取详细的技术支持与供货信息。

凭借其高电流处理能力、低导通电阻和快速开关特性，这款MOSFET非常适合于对效率和功率密度有严苛要求的应用场景。典型应用包括服务器和电信设备的高效率DC-DC转换器、电机驱动与控制系统中的逆变器桥臂，以及各类需要大电流开关的电源管理模块。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设计和备件供应中，它仍是一款具有参考价值的高性能功率开关解决方案。

• 型号:STH240N75F3-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 75V 180A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:87 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STH240N75F3-2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET III产品系列。该器件采用H2PAK-2封装，在75V的漏源电压（V_DSS）下，能够持续处理高达180A（T_C=25°C）的电流，其核心优势在于极低的导通电阻，在90A，10V条件下典型值仅为3毫欧，有效降低了导通损耗。

此外，其栅极电荷（Q_g）最大值为87nC，有助于实现快速开关并降低驱动损耗，提升整体转换效率。器件工作结温范围宽达-55°C至175°C，适用于高功率密度和高可靠性的应用环境。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和大电流DC-DC变换器等领域的理想功率开关选择。