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M24C01-WMN6T

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 1KBIT I2C 400KHZ 8SOIC
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,M24C01-WMN6T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M24C01-WMN6T的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M24C01-WMN6T是一款由ST意法半导体(STMicroelectronics)设计生产的串行EEPROM存储器芯片。该器件采用成熟的CMOS浮栅技术,构建了一个非易失性的存储阵列,其核心架构为128 x 8位(1Kb)的组织形式。这种结构通过内部地址锁存器和控制逻辑,实现了对单个字节或整个页面的高效读写操作,确保了数据在断电后仍能长期可靠保存。

该芯片的功能特点突出体现在其兼容IC总线接口上,支持高达400kHz的时钟频率,能够满足多数中低速主控设备对从设备进行快速数据交换的需求。其宽电压工作范围(2.5V至5.5V)使其能够无缝适配3.3V和5V的混合逻辑系统,增强了设计的灵活性。在数据可靠性方面,器件提供了写保护引脚,并具备超过一百万次的擦写周期以及长达四十年的数据保存期限。其页写入模式允许在一次操作中连续写入最多16个字节,配合5ms的典型写周期时间,有效提升了数据批量更新的效率。对于需要稳定供应链支持的客户,可以通过官方授权的ST代理进行采购咨询。

在接口与关键参数层面,M24C01-WMN6T采用标准的双线IC串行接口,通过SDA(串行数据)和SCL(串行时钟)两根线与微控制器通信,极大节省了系统I/O资源。其访问时间仅为900ns,确保了快速的读取响应。芯片设计有硬件可编程的地址引脚,允许在同一总线上挂载多达八个同型号器件,方便系统扩展。该器件采用8引脚SOIC封装,支持表面贴装(SMT)工艺,工作温度范围覆盖工业级的-40°C至85°C,能够适应严苛的环境条件。

基于其稳定可靠的性能和紧凑的封装,M24C01-WMN6T非常适合应用于需要存储配置参数、校准数据或用户设置信息的各类电子设备中。典型应用场景包括消费电子产品(如电视机顶盒、智能遥控器)、工业控制系统(用于存储设备参数和运行日志)、汽车电子(如车身控制模块中的非关键数据存储)以及医疗设备中的辅助数据记录单元。尽管该产品目前已处于停产状态,但其成熟的设计和广泛的应用验证,使其在存量市场或对长期供货有特定要求的项目中仍具参考价值。

  • 型号:M24C01-WMN6T
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 1KBIT I2C 400KHZ 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:1Kb
  • 存储器组织:128 x 8
  • 存储器接口:I2C
  • 时钟频率:400 kHz
  • 写周期时间 - 字,页:5ms
  • 访问时间:900 ns
  • 电压 - 供电:2.5V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 想获取M24C01-WMN6T的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M24C01-WMN6T是ST意法半导体推出的一款1Kbit容量串行EEPROM存储器。该器件采用标准的IC总线接口,最高支持400kHz通信速率,并具备2.5V至5.5V的宽电压供电能力,兼容性强。

其核心规格包括128 x 8位的存储结构,900ns的快速访问时间以及5ms的典型写入周期。器件提供工业级工作温度范围(-40°C至85°C),采用8-SOIC表面贴装封装,适用于对空间和可靠性有要求的嵌入式系统,用于存储关键的系统配置与用户数据。

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