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M24M01-DWDW3TP/K的图片

M24M01-DWDW3TP/K

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 1MBIT I2C 1MHZ 8TSSOP
原厂封装:封装:8-TSSOP
优势价格,M24M01-DWDW3TP/K的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M24M01-DWDW3TP/K的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M24M01-DWDW3TP/K是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q100标准的汽车级1Mb串行EEPROM。该器件采用成熟的EEPROM技术构建,其核心存储单元为128K x 8位的阵列结构,通过高效的电荷泵电路和内部电压调节器,确保了在宽电压范围(2.5V至5.5V)内稳定可靠的数据读写操作。其非易失特性保证了在断电情况下数据能够长期保存,满足汽车电子系统对数据完整性的严苛要求。

该芯片集成了高速IC串行接口,最高时钟频率可达1MHz,支持标准模式(100kHz)和快速模式(400kHz)以及高速模式(1MHz),显著提升了数据传输效率。其访问时间仅为450ns,而典型的字或页写入周期为4ms,在保证数据可靠性的同时优化了系统响应速度。为了增强数据安全性,器件内部集成了写保护机制,并支持按页(最高128字节)或按字节的灵活编程与擦除操作,有效管理存储空间并延长存储器寿命。

在接口与电气参数方面,宽工作温度范围(-40°C至125°C)是其突出特点,使其能够适应发动机舱等恶劣环境下的应用。其采用紧凑的8引脚TSSOP表面贴装封装,节省了宝贵的PCB空间。该器件支持高达1,000,000次的擦写周期,数据保存期限超过40年,这些参数均经过严格的汽车级认证测试,确保了在振动、高温和高湿度等挑战性条件下的长期可靠性。用户可以通过ST授权代理获取完整的技术支持与供应链服务。

凭借其高可靠性、宽温操作和紧凑封装,M24M01-DWDW3TP/K非常适合应用于需要非易失性数据存储的各类汽车电子系统,例如仪表盘、车身控制模块(BCM)、高级驾驶辅助系统(ADAS)的传感器数据记录、以及车载信息娱乐系统的配置参数存储。此外,其在工业控制、医疗设备和智能电表等对数据持久性和环境适应性要求高的领域,同样具有广泛的应用前景。

  • 型号:M24M01-DWDW3TP/K
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-TSSOP
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 1MBIT I2C 1MHZ 8TSSOP
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:1Mb
  • 存储器组织:128K x 8
  • 存储器接口:I2C
  • 时钟频率:1 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:4ms
  • 访问时间:450 ns
  • 电压 - 供电:2.5V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-TSSOP
  • 想获取M24M01-DWDW3TP/K的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M24M01-DWDW3TP/K是ST意法半导体推出的一款汽车级(AEC-Q100)1Mb串行EEPROM存储器。该器件采用IC接口,最高通信频率达1MHz,并提供128K x 8位的存储容量,支持宽电压供电(2.5V至5.5V)和宽工作温度范围(-40°C至125°C),确保在严苛环境下稳定运行。

其核心特性包括450ns的快速访问时间、4ms的典型写入周期,以及高达100万次的擦写耐久性。器件采用8-TSSOP表面贴装封装,具有非易失性数据存储能力,数据保存期限超过40年,是汽车电子、工业控制等领域中需要可靠参数存储应用的理想选择。

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