STF9N80K5

意法半导体推出的STF9N80K5是一款采用先进MDmesh K5技术的N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了高耐压与低导通损耗的出色平衡。其核心在于通过创新的单元布局和加工工艺，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时优化了内部电荷特性，从而在高频开关应用中能够有效降低开关损耗并提升整体能效。

该MOSFET具备800V的漏源击穿电压（Vdss），为其在离线式电源等高压环境中提供了可靠的运行余量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为7A，结合仅900毫欧（@3.5A，10V）的最大导通电阻，确保了在导通期间具有较低的功率耗散。其栅极电荷（Qg）典型值较低，在10V Vgs下最大为12nC，这直接转化为更快的开关速度和更低的驱动损耗，有利于提升开关电源的功率密度和工作频率。

在接口与参数方面，STF9N80K5采用标准的TO-220FP绝缘封装，便于通孔安装并提供良好的散热特性。其栅极驱动电压（Vgs）范围为±30V，阈值电压（Vgs(th)）最大为5V，兼容常见的控制器驱动电平。器件在100V Vds下的输入电容（Ciss）最大为340pF，较低的电容值有助于简化栅极驱动电路的设计。其结温工作范围宽达-55°C至150°C，最大功率耗散为25W（Tc），展现了强大的鲁棒性和环境适应性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理进行采购与咨询。

凭借其高压、低损耗和高可靠性的特点，此器件非常适用于要求严苛的功率转换领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关、照明应用的电子镇流器、工业电机驱动的辅助电源以及UPS（不间断电源）系统中的功率级。在这些场景中，它能够有效提升系统效率，减小散热器尺寸，并增强系统在电压应力下的长期稳定性。

• 型号:STF9N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 7A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF9N80K5是ST意法半导体MDmesh K5系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP封装。该器件核心优势在于其800V的高漏源电压（Vdss）与低至900毫欧（@3.5A，10V）的导通电阻（Rds(on)）的组合，这为高压应用提供了优异的导通性能与能效基础。

其技术参数针对高效开关应用进行了优化，例如最大12nC（@10V）的低栅极电荷（Qg）有助于降低开关损耗并支持更高的工作频率。同时，7A（Tc）的连续漏极电流额定值和宽达-55°C至150°C的结温工作范围，确保了其在苛刻环境下的可靠性与功率处理能力。