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M27C801-100F1的图片

M27C801-100F1

ST图标
存储器芯片
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EPROM UV 8MBIT 100NS 32CDIP
原厂封装:32-CDIP
优势价格,M27C801-100F1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M27C801-100F1的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M27C801-100F1是一款由ST意法半导体(STMicroelectronics)设计生产的8Mbit紫外线可擦除只读存储器(UV EPROM)。该器件采用经典的并联接口架构,内部组织为1M x 8位,这意味着它拥有1,048,576个存储单元,每个单元可存储8位(1字节)数据。其核心存储单元基于浮栅晶体管技术,通过紫外线照射封装顶部的石英窗口来擦除内部存储的电荷,从而实现数据的整体擦除和重新编程,这一特性使其在需要固件或代码多次更新的开发阶段及小批量生产中具有独特的价值。

该芯片的功能特点围绕其非易失性、可重复编程性及高可靠性展开。100ns的快速访问时间确保了在需要快速读取固件的系统中能够提供及时的数据响应。其工作电压范围设计为4.5V至5.5V,与标准的5V TTL电平系统完全兼容,简化了与微处理器、微控制器等主控单元的连接设计。器件采用32引脚陶瓷双列直插封装(32-CDIP),并带有用于紫外线擦除的石英窗口,这种熔接密封的封装形式提供了优异的密封性和环境可靠性,确保数据在复杂环境下长期稳定保存。对于需要稳定供货和技术支持的客户,通过ST一级代理进行采购是确保产品正品与供应链可靠性的重要途径。

在接口与电气参数方面,M27C801-100F1提供标准的并行数据总线(D0-D7)、地址总线(A0-A19)以及芯片使能(CE#)、输出使能(OE#)和编程控制(PGM#)等控制信号。其编程操作需要在特定的高压(通常为12.5V VPP)和时序下进行,支持字节编程和快速编程算法,提高了生产编程效率。器件的工作温度范围为0°C至70°C,覆盖了广泛的商业级应用环境。其100ns的读取速度,结合8Mbit的大容量,使其能够存储复杂的引导程序、应用程序代码或固定的数据表格。

基于其技术特性,M27C801-100F1主要应用于那些需要固件在系统开发阶段频繁调试、更新,或在最终产品中需要长期保持固定程序且对成本敏感的传统领域。典型应用场景包括早期的工业控制设备、通信基础设施(如路由器、交换机的引导ROM)、汽车电子控制单元(ECU)的开发原型、医疗仪器以及各种需要固件掩膜前的验证和测试系统。在这些场景中,其可擦写特性为开发调试提供了极大便利,而一旦代码固化,其非易失性和可靠性又能满足产品的长期运行需求。

  • ST意法半导体公司完整型号:M27C801-100F1
  • 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
  • 描述:IC EPROM UV 8MBIT 100NS 32CDIP
  • 系列:-
  • 格式 - 存储器:EPROMs
  • 存储器类型:EPROM UV
  • 存储容量:8M(1M x 8)
  • 速度:100ns
  • 接口:并联
  • 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C
  • 封装/外壳:32-CDIP(0.600",15.24mm)窗口
  • 供应商器件封装:32-CDIP 熔接密封,带窗口
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M27C801-100F1是ST意法半导体推出的一款8Mbit(1M x 8)紫外线可擦除只读存储器(UV EPROM)。该器件采用32引脚陶瓷DIP带窗口封装,核心特性包括100ns的快速访问时间和4.5V至5.5V的宽工作电压范围,确保与标准5V系统的高速、稳定兼容。

作为一款非易失性存储器,它通过顶部的石英窗口接受紫外线照射以擦除数据,支持重复编程,适用于固件开发、调试及小批量生产阶段。其商业级工作温度范围(0°C至70°C)和可靠的熔接密封封装,使其成为传统工业控制、通信设备及汽车电子原型开发中存储引导代码和应用程序的经典选择。

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