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M27W201-80F6的图片

M27W201-80F6

ST图标
存储器芯片
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EPROM UV 2MBIT 80NS 32CDIP
原厂封装:32-CDIP
优势价格,M27W201-80F6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M27W201-80F6的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M27W201-80F6是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款采用紫外线擦除技术的可编程只读存储器(EPROM UV)。该芯片采用经典的并联接口架构,内部组织为256K x 8位结构,总存储容量达到2Mbit。其核心设计基于成熟的浮栅MOS晶体管技术,通过高电压编程将电荷注入浮栅以实现数据写入,而封装顶部的石英窗口允许特定波长的紫外线穿透,照射芯片内部以释放浮栅电荷,从而实现数据的整体擦除,为固件或代码的反复开发与验证提供了可靠的物理存储介质。

该器件的一个显著特点是其80ns的快速访问时间,这确保了在需要及时响应的嵌入式系统中,处理器能够高效地读取指令或数据。其工作电压范围设计为2.7V至3.6V,属于低电压操作范畴,有助于降低系统整体功耗,并兼容现代低电压逻辑电平。同时,它支持宽泛的工业级工作温度范围(-40°C至85°C),使其能够稳定运行于条件严苛的户外、汽车或工业控制环境中。对于需要可靠供应链保障的客户,可以通过官方ST授权代理渠道获取原装正品,确保产品质量与长期供货的稳定性。

在接口与参数方面,M27W201-80F6采用并行数据总线,提供标准的地址、数据和控制信号引脚,便于与各类微处理器或微控制器直接连接。它采用32引脚陶瓷双列直插封装(32-CDIP),并带有用于紫外线擦除的石英窗口,这种熔接密封的封装形式提供了优异的密封性和长期数据保持能力。其擦除特性要求将芯片暴露于波长为253.7纳米、一定强度的紫外光下持续15至20分钟,擦除后所有存储单元将恢复到逻辑“1”状态,为下一次编程做好准备。

基于其非易失性、可重复编程及高可靠性的特点,M27W201-80F6非常适用于产品开发周期中的固件存储、小批量生产以及需要后期现场更新的应用场景。典型应用包括早期的工业控制系统、通信设备、汽车电子控制单元(ECU)的原型开发与测试,以及一些对成本敏感且程序定型后无需频繁更改的消费类电子产品。它在需要长期保存程序且断电后数据不丢失的场合,继续发挥着其独特价值。

  • ST意法半导体公司完整型号:M27W201-80F6
  • 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
  • 描述:IC EPROM UV 2MBIT 80NS 32CDIP
  • 系列:-
  • 格式 - 存储器:EPROMs
  • 存储器类型:EPROM UV
  • 存储容量:2M(256K x 8)
  • 速度:80ns
  • 接口:并联
  • 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳:32-CDIP(0.600",15.24mm)窗口
  • 供应商器件封装:32-CDIP 熔接密封,带窗口
  • 想获取M27W201-80F6的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M27W201-80F6是ST意法半导体生产的一款2Mbit紫外线擦除可编程只读存储器(EPROM UV)。该芯片采用256K x 8位的组织结构,通过并联接口与微处理器通信,其核心优势在于80ns的高速访问时间,能够满足对读取速度有严格要求的嵌入式系统需求。

器件工作在2.7V至3.6V的低电压范围内,有助于节能,并支持-40°C至85°C的宽温工作,确保了在工业与汽车等恶劣环境下的可靠性。它采用带窗口的32引脚陶瓷双列直插封装(32-CDIP),通过紫外线照射可进行整体擦除和重复编程,为固件开发、原型验证及小批量生产提供了灵活、非易失的存储解决方案。

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