T1250H-6G-TR

T1250H-6G-TR是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能三端双向可控硅（TRIAC）器件，采用先进的ALTERNISTOR技术平台设计。该器件采用单路配置，内部集成了两个反并联的晶闸管结构，能够在交流电的两个半周期内实现双向导通控制，从而简化了交流相位控制电路的设计。其核心架构优化了载流子寿命和导通均匀性，确保了在宽温度范围和高电流应力下的稳定开关特性，同时有效抑制了导通时的电流尖峰和电磁干扰（EMI）。

该器件具备600V的高断态电压和12A的RMS通态电流能力，为交流负载控制提供了宽裕的安全裕度。其栅极触发特性表现出色，最大栅极触发电压（Vgt）仅为1V，最大栅极触发电流（Igt）为50mA，这意味着它能够被微控制器或逻辑电平信号轻松驱动，降低了外围驱动电路的设计复杂度和成本。同时，其最大保持电流（Ih）为75mA，确保了在触发后能够可靠维持导通状态，直至电流自然过零关断，避免了误关断的风险。其非重复浪涌电流承受能力高达120A（50Hz）或126A（60Hz），提供了出色的抗瞬时过载和短路能力，这对于应对电机启动、白炽灯冷态冲击等浪涌电流场景至关重要。

在接口与封装方面，T1250H-6G-TR采用表面贴装型的DPak（TO-263-3）封装。这种封装具有优异的散热性能，其金属背板可以直接焊接在PCB的铜箔上，通过PCB进行高效的热传导，非常适合在紧凑空间内处理较高的功率耗散。其工作结温范围宽达-40°C至150°C，使其能够适应严苛的工业环境。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高电压、大电流、易驱动和强鲁棒性的特点，T1250H-6G-TR非常适用于各类中功率交流相位控制或开关应用。典型应用场景包括工业交流电机调速控制、固态继电器（SSR）、交流电源开关、调光器、加热器功率调节以及通用交流负载控制板卡。在这些应用中，它能够实现平滑的功率调节和高效的开关控制，是工程师构建可靠、紧凑型交流功率控制解决方案的理想选择。

• 型号:T1250H-6G-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
• 描述:TRIAC ALTERNISTOR 600V 12A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器
• 电压 - 断态:600 V
• 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）:12 A
• 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）:1 V
• 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):120A，126A
• 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）:50 mA
• 电流 - 保持 (Ih)（最大值）:75 mA
• 配置:单路
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:D2PAK
• 想获取T1250H-6G-TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

T1250H-6G-TR是ST意法半导体生产的一款表面贴装、无缓冲型三端双向可控硅（TRIAC）。该器件核心特性在于其600V的高断态耐压与12A RMS的连续通流能力，为交流开关与控制应用提供了坚实的电压与电流基础。

其设计注重驱动简便性与可靠性，最大栅极触发电压低至1V，触发电流最大50mA，可直接由低压逻辑电路驱动。同时，它具备高达120A/126A的非重复浪涌电流承受力，以及宽达-40°C至150°C的工作结温范围，确保了在浪涌冲击和恶劣温度环境下的稳定运行。采用TO-263（DPak）封装，兼顾了功率处理能力与PCB空间利用率。