M34C02-WMN6T

M34C02-WMN6T是ST意法半导体推出的一款采用IC串行接口的2Kbit EEPROM存储器芯片。该器件采用成熟的CMOS EEPROM技术构建，其核心是一个256 x 8位的存储阵列，通过内部升压电路实现字节和页编程操作，无需外部高电压供电。其设计确保了在宽电压范围内的稳定数据读写，内部集成了地址和数据寄存器、控制逻辑以及高压发生器，结构紧凑高效。

该芯片提供了非易失性数据存储的关键特性，在断电后仍能可靠保存信息。其IC接口支持标准模式（100kHz）和快速模式（400kHz）操作，允许器件通过简单的两线制（串行数据线SDA和串行时钟线SCL）与微控制器或其他主机进行通信，极大简化了系统布线和设计复杂度。芯片支持页写功能，最多可在一个写周期内连续写入16字节，配合10ms的典型写周期时间，提升了数据写入效率。访问时间仅为900ns，确保了快速的数据读取响应。

在电气参数方面，M34C02-WMN6T的工作电压范围宽达2.5V至5.5V，使其能够兼容从3.3V到5V的多种主流逻辑系统。其工作温度范围覆盖工业级的-40°C至85°C，保证了在苛刻环境下的稳定运行。芯片采用8引脚SOIC封装，符合表面贴装工艺要求，适合自动化生产。用户可通过ST授权代理获取完整的技术支持与供应链服务。

凭借其可靠的性能、简单的接口和宽泛的工作条件，这款EEPROM广泛应用于需要存储配置参数、校准数据或用户设置的场景。典型应用包括消费电子产品（如电视、机顶盒）、工业控制系统、通信模块、智能电表以及汽车电子中的非关键数据存储。尽管其零件状态已标注为停产，但对于许多现有产品设计和维护而言，它仍然是一个经过市场验证的经典存储解决方案。

• 型号:M34C02-WMN6T
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:EEPROM
• 技术:EEPROM
• 存储容量:2Kb
• 存储器组织:256 x 8
• 存储器接口:I2C
• 时钟频率:400 kHz
• 写周期时间 - 字，页:10ms
• 访问时间:900 ns
• 电压 - 供电:2.5V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
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M34C02-WMN6T是ST意法半导体生产的一款2Kbit容量串行EEPROM存储器。该器件采用标准的IC两线制接口，支持高达400kHz的通信时钟频率，实现了与主控器之间的高效、简洁连接。

其核心优势在于宽电压工作范围（2.5V-5.5V）与工业级温度范围（-40°C至85°C）的结合，提供了出色的设计灵活性和环境适应性。256 x 8位的组织架构、10ms的写周期时间以及页写功能，共同保障了数据管理的可靠性与效率，适用于各类需要非易失性小容量存储的电子系统。