M41T11M6E

M41T11M6E是ST意法半导体推出的一款串行实时时钟（RTC）芯片，采用IC总线接口，集成了时钟、日历和56字节的非易失性静态随机存取存储器（NVSRAM）。该器件设计用于在-40°C至85°C的工业级温度范围内稳定工作，其核心架构基于一个低功耗的计时电路，该电路在2V至5.5V的主电源电压下，典型计时电流低至70A，确保了在电池备份模式下的超长续航能力。其内置的时钟校准功能和闰年自动补偿机制，保证了长期时间记录的精确性和可靠性。

该芯片提供了完整的时间与日期功能，时间以HH:MM:SS（时:分:秒）格式表示，日期则支持YY-MM-DD-dd（年-月-日-星期）格式，能够满足绝大多数嵌入式系统对时间信息的需求。其集成的56字节NVSRAM在电源断开时可由备用电池（电压范围2.5V至3.5V）供电以保持数据，这一特性使其非常适合用于存储关键的系统配置参数或事件记录。对于需要可靠时间基准和少量非易失性存储的应用，从专业的ST代理商处获取此芯片是确保供应链稳定与技术支持的关键。

在接口与电气参数方面，M41T11M6E通过标准的2线IC串行接口与主控制器通信，简化了系统设计。其宽泛的供电电压范围（2V至5.5V）使其能够兼容3.3V和5V逻辑系统，增强了设计的灵活性。芯片采用表面贴装型的8引脚SOIC封装，便于在紧凑的PCB空间内进行布局。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和可靠的性能使其在存量项目或对长期供货有特殊安排的场景中仍具参考价值。

在应用场景上，这款RTC芯片广泛适用于需要独立、精准计时功能的各类电子设备，例如智能电表、数据记录仪、安防系统、通信网关、医疗监护设备以及工业自动化控制器。其工业级的工作温度范围和电池备份能力，使其在环境苛刻或需要断电保持运行状态的场合中表现出色，为系统提供了一个独立于主处理器的可靠时间戳和配置数据存储解决方案。

• 型号:M41T11M6E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 时钟/定时 > 实时时钟
• 描述:IC RTC CLK/CALENDAR I2C 8SOIC
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 类型:时钟/日历
• 特性:闰年，NVSRAM
• 存储容量:56B
• 时间格式:HH：MM：SS
• 日期格式:YY-MM-DD-dd
• 接口:I2C，2 线串行
• 电压 - 供电:2V ~ 5.5V
• 电压 - 供电，电池:2.5V ~ 3.5V
• 电流 - 计时（最大值）:70A @ 2V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C
• 安装类型:表面贴装型
• 等级:-
• 资质:-
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
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M41T11M6E是ST意法半导体生产的一款基于IC接口的实时时钟/日历芯片，集成了56字节的NVSRAM。该器件在2V至5.5V的主电源电压下工作，计时电流典型值仅为70A，并支持2.5V至3.5V的电池备份电压，确保了极低的功耗和断电后的数据保持能力。

其功能涵盖时分秒（HH:MM:SS）计时与年月日星期（YY-MM-DD-dd）日历，并具备闰年自动调整功能。芯片采用8-SOIC封装，工作温度范围为-40°C至85°C，适用于对时间精度和可靠性有较高要求的工业与消费类嵌入式系统。