STPSC30H12CWL

STPSC30H12CWL是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款采用碳化硅（SiC）技术的肖特基二极管阵列。该器件采用先进的宽带隙半导体材料，构建了1对共阴极的二极管配置，并封装于坚固的TO-247-3通孔封装中，属于其环保的ECOPACK产品系列。其核心优势在于利用碳化硅的物理特性，从根本上消除了传统硅基快恢复二极管固有的反向恢复电荷问题，实现了理论上零反向恢复时间（0 ns）和无反向恢复电流的特性，这为高频、高效功率转换拓扑奠定了物理基础。

在功能表现上，该二极管在高达1200V的反向电压下，每二极管可承受38A的平均整流电流，展现了出色的耐压与载流能力。其正向压降在15A电流下典型值仅为1.5V，有助于降低导通损耗，提升系统整体效率。同时，在1200V满额反向电压下，其反向泄漏电流被控制在极低的90A水平，确保了关断状态下的优异阻断性能和低静态功耗。其宽泛的结温工作范围（-40°C至175°C）赋予了器件强大的环境适应性和可靠性，适合在苛刻条件下稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取此产品及相关技术支持。

从接口与参数来看，该器件采用标准的三引脚TO-247封装，便于在现有功率板卡布局上进行替换或升级，简化了设计导入过程。其“无恢复时间”的特性意味着在开关过程中不会产生由二极管反向恢复引起的电压尖峰和开关损耗，这允许系统设计者使用更高的开关频率，从而显著减小无源元件（如电感、变压器）的尺寸和重量，实现功率密度的提升。

基于上述技术特点，STPSC30H12CWL非常适用于对效率和功率密度有严苛要求的高端应用场景。它是光伏逆变器、不间断电源（UPS）、工业电机驱动、电动汽车车载充电机（OBC）以及服务器电源等系统中功率因数校正（PFC）电路和DC-DC转换环节的理想选择。在这些应用中，它能够有效降低开关损耗和电磁干扰（EMI），提升系统能效等级，并凭借其高温工作能力增强系统的长期可靠性。

• 型号:STPSC30H12CWL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
• 描述:DIODE ARR SIC 1200V 38A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 二极管配置:1 对共阴极
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:1200 V
• 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）:38A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.5 V @ 15 A
• 速度:无恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:90 A @ 1200 V
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 想获取STPSC30H12CWL的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STPSC30H12CWL是ST意法半导体生产的一款1200V、38A碳化硅肖特基二极管阵列，采用TO-247封装。其核心价值在于利用碳化硅材料特性，实现了零反向恢复时间（0ns）和无反向恢复电流，彻底消除了传统硅二极管在开关过程中的恢复损耗与噪声，为高频高效功率转换提供了关键解决方案。

该器件在15A电流下正向压降仅为1.5V，有助于降低导通损耗，同时在1200V高压下的反向泄漏电流极低（90A），确保了优异的阻断性能。其工作结温范围宽达-40°C至175°C，具备高可靠性和鲁棒性。这些特性使其成为提升光伏逆变器、UPS、电机驱动及服务器电源等系统效率与功率密度的优选器件。