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M48Z512AV-85PM1的图片

M48Z512AV-85PM1

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32PMDIP
原厂封装:封装:32-PMDIP 模块
优势价格,M48Z512AV-85PM1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M48Z512AV-85PM1的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M48Z512AV-85PM1是ST意法半导体推出的一款采用非易失性静态随机存取存储器(NVSRAM)技术的集成电路。该器件将高速SRAM单元与集成的非易失性存储单元(通常基于EEPROM或闪存技术)相结合,构成了其核心架构。这种设计使得数据在SRAM中能以接近标准SRAM的速度被处理器访问和修改,同时,在检测到电源故障或通过指令触发时,SRAM中的数据能够被自动、快速地备份到非易失性存储单元中;当电源恢复后,数据又能被自动从非易失性单元恢复到SRAM中,从而确保关键数据在断电情况下万无一失。

该芯片的功能特点突出体现在其高可靠性与高性能的平衡上。它提供了与标准SRAM完全兼容的并行接口和读写时序,访问时间仅为85ns,写周期时间同样为85ns,确保了系统在处理实时数据时的高效率。其非易失性操作对用户和主处理器是透明的,无需额外的软件干预即可完成数据保存与恢复,极大地简化了系统设计。此外,其数据保存期限可长达数十年,且拥有近乎无限的读写耐久性,远超传统EEPROM或闪存,非常适合需要频繁更新且必须保证断电安全的数据存储场景。对于需要可靠供应与技术支持的用户,可以通过授权的ST芯片代理进行采购与咨询。

在接口与参数方面,该器件采用512K x 8位(4Mb)的存储容量组织,通过标准的并行地址/数据总线与微处理器或微控制器连接。它工作在3.0V至3.6V的单电源电压下,功耗特性与同容量SRAM相当。其物理封装为32引脚塑料双列直插式封装(32-PMDIP),采用通孔安装方式,具有良好的机械强度和散热性能,适用于对可靠性要求较高的工业环境。器件的工作温度范围为0°C至70°C,满足商业级应用的需求。

基于其技术特性,M48Z512AV-85PM1广泛应用于需要零延迟数据保存、高数据完整性以及频繁数据记录的领域。典型的应用场景包括工业自动化控制系统中的实时参数与状态记录、金融交易终端(如POS机、ATM机)的交易数据缓存与保护、医疗设备中的关键运行日志存储、通信基础设施的配置信息备份,以及航空航天系统中需要断电瞬间保存关键状态信息的场合。尽管该产品目前已处于停产状态,但其设计理念和在高可靠性存储领域的应用价值,对于理解相关系统架构仍有重要参考意义。

  • 型号:M48Z512AV-85PM1
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:32-PMDIP 模块
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32PMDIP
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:NVSRAM
  • 技术:NVSRAM(非易失性 SRAM)
  • 存储容量:4Mb
  • 存储器组织:512K x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间 - 字,页:85ns
  • 访问时间:85 ns
  • 电压 - 供电:3V ~ 3.6V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:32-DIP 模块(0.600,15.24mm)
  • 供应商器件封装:32-PMDIP 模块
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M48Z512AV-85PM1是STMicroelectronics生产的一款4Mb(512K x 8)非易失性SRAM(NVSRAM)。该器件将高速SRAM与嵌入式非易失性存储单元结合,在提供85ns快速访问时间的同时,实现了电源中断时数据的自动保存与恢复,确保了数据的绝对安全。

它采用3V至3.6V单电源供电,标准并行接口,兼容传统SRAM的读写时序。其核心价值在于无需电池备份即可实现数据永久保存,且拥有极高的读写耐久性,特别适用于需要频繁、快速更新关键数据并保证断电数据完整的应用,如工业控制、交易处理和仪器仪表。

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