STSJ100NH3LL

STSJ100NH3LL是ST意法半导体基于其先进的STripFET III技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，在紧凑的8-SOIC-EP封装内实现了卓越的功率密度与电气性能平衡。其核心设计旨在通过降低导通电阻和栅极电荷，显著提升功率转换效率，同时确保在高开关频率下的稳定运行。

该MOSFET的突出特性在于其极低的导通电阻，在10V驱动电压、12.5A测试条件下，Rds(on)典型值仅为3.5毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和发热量。配合高达100A的连续漏极电流（在壳温条件下）和30V的漏源击穿电压，使其能够承载可观的功率。其栅极驱动设计友好，最大栅源电压为±16V，而阈值电压Vgs(th)最大值仅为1V，确保了在低压逻辑电平下的可靠开启。此外，较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）有助于减少开关过程中的能量损失，提升系统的整体开关速度与效率。

在电气参数方面，该器件在25°C环境温度下的最大功耗为3W，而在壳温条件下可承受高达70W的功率耗散，其结温最高可工作至150°C，展现了良好的热性能。其表面贴装型封装（8-SOIC-EP）集成了裸露焊盘，极大地优化了散热路径，便于在紧凑的PCB布局中实现高效的热管理。对于需要可靠供应链和原厂技术支持的设计项目，通过授权的ST一级代理进行采购是确保器件正宗与供货稳定的重要途径。

凭借其高电流处理能力、低导通损耗和快速的开关特性，STSJ100NH3LL非常适用于对效率和功率密度有严苛要求的应用场景。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC同步整流电路、电机驱动控制模块中的H桥或半桥拓扑、以及各类低压大电流的电源管理和功率分配系统。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设计和备件供应中，它仍是一款经过验证的高性能功率开关解决方案。

• 型号:STSJ100NH3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC-EP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 100A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4450 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta），70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC-EP
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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STSJ100NH3LL是ST意法半导体推出的一款采用STripFET III技术的N沟道功率MOSFET，封装形式为8-SOIC-EP。该器件核心优势在于其卓越的电流处理能力与极低的功率损耗，其连续漏极电流（Id）在壳温条件下高达100A，而漏源电压（Vdss）为30V。

其关键技术参数包括极低的导通电阻（典型值3.5毫欧 @ 10V）和优化的栅极电荷（最大值40nC @ 4.5V），这共同确保了在高频开关应用中具备高效率与低发热的特性。器件设计支持高达150°C的结温工作，并采用带裸露焊盘的封装以增强散热性能，适用于要求高功率密度和可靠性的电源转换与电机控制场景。