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M93C46-WMN6的图片

M93C46-WMN6

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 1KBIT MICROWIRE 8SOIC
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,M93C46-WMN6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M93C46-WMN6的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M93C46-WMN6是ST意法半导体推出的一款1Kbit串行EEPROM存储器芯片,采用成熟的CMOS EEPROM技术制造。该器件内部集成了非易失性存储阵列、地址解码器、高压发生器以及串行接口控制逻辑,构成了一个完整且高度集成的存储解决方案。其核心存储单元基于浮栅技术,通过SPI兼容的串行接口进行访问,这种架构在保证数据可靠性的同时,最大限度地减少了芯片的引脚数量和外围电路复杂度,使得系统设计更为简洁。

该芯片提供了128 x 8位或64 x 16位两种可选的存储器组织方式,为不同字长的微控制器应用提供了灵活性。其工作电压范围宽达2.5V至5.5V,能够兼容从低功耗到标准逻辑电平的各种系统环境。在数据写入方面,芯片支持字节写入和页写入模式,典型的字写入周期时间为5ms,并内置了写使能锁存和写周期完成检测功能,有效防止了误写操作并简化了软件流程。其串行时钟频率最高可达2MHz,确保了在需要频繁读写配置参数的应用中具备良好的响应速度。

芯片通过一个标准的四线制SPI接口(包含串行数据输入SI、串行数据输出SO、串行时钟SCK和片选CS)与主控制器通信,接口协议简单高效。除了宽电压供电特性,其工作温度范围覆盖了-40°C至85°C的工业级标准,保证了在严苛环境下的稳定运行。芯片采用8引脚SOIC封装,适合表面贴装工艺,便于集成到紧凑的PCB布局中。用户可以通过正规的ST授权代理渠道获取该产品,以确保元器件的原装正品和可靠的技术支持。

凭借其非易失性、接口简单、可靠性高和宽电压工作的特点,M93C46-WMN6非常适合应用于需要存储少量关键数据或配置信息的场景。典型应用包括各类消费电子产品中的用户设置存储、工业控制设备中的校准参数与状态记录、汽车电子系统中的模块标识信息存储,以及智能仪表、网络设备、医疗设备等对数据可靠性要求较高的领域。尽管该型号已处于停产状态,但其成熟的设计和广泛的应用验证使其在现有系统的维护和特定设计中仍具参考价值。

  • 型号:M93C46-WMN6
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 1KBIT MICROWIRE 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:1Kb
  • 存储器组织:128 x 8,64 x 16
  • 存储器接口:Microwire
  • 时钟频率:2 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:5ms
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:2.5V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 想获取M93C46-WMN6的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M93C46-WMN6是ST意法半导体生产的一款1Kbit容量串行EEPROM存储器。该芯片采用SPI接口,最高时钟频率2MHz,支持灵活的128 x 8位或64 x 16位存储器组织方式,便于与各种微控制器连接。

其核心优势在于宽泛的2.5V至5.5V工作电压范围和-40°C至85°C的工业级工作温度,确保了在多样化的供电环境和严苛温度条件下的稳定数据存储。芯片采用8-SOIC表面贴装封装,集成度高,典型字写入时间为5ms,并内置写保护机制,为系统提供了一种可靠、紧凑的非易失性存储解决方案。

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