STF4N62K3

STF4N62K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡。其核心架构旨在满足高效率、高可靠性的中功率开关应用需求，内部集成了稳健的体二极管，为感性负载下的续流操作提供了保障。

该MOSFET的突出特性在于其优异的动态与静态性能组合。620V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC转换、电机驱动等场合中常见的电压应力和开关尖峰，提供了充足的设计裕量。在导通特性方面，在10V驱动电压（Vgs）下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至2欧姆（@1.9A），这直接转化为更低的导通损耗，有助于提升系统整体效率并减少散热需求。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为22nC（@10V），结合550pF的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的栅极驱动损耗，特别适合高频开关电源设计。

在电气接口与参数方面，STF4N62K3标称连续漏极电流（Id）为3.8A（基于壳温Tc），最大栅源电压（Vgs）为±30V，确保了驱动电路的灵活性和安全性。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，具备良好的噪声抑制能力。器件采用TO-220FP封装，这是一种带散热片的通孔安装封装，便于安装在散热器上以实现高达25W（Tc）的功率耗散能力。其结温（Tj）最高可工作于150°C，展现了宽泛的工作温度范围和坚固的耐用性。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取该产品及相关设计资源。

凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关的特性，STF4N62K3非常适合应用于各类离线式开关电源（SMPS），如PC电源、适配器、LED驱动电源的初级侧开关。此外，它在电机控制、继电器替代、电子镇流器以及DC-AC逆变器等需要高效功率切换的场合中也能发挥关键作用。其稳健的设计使其成为工程师在构建高性价比、高可靠性功率转换解决方案时的理想选择。

• 型号:STF4N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 3.8A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 1.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:550 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF4N62K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH3产品系列。该器件采用TO-220FP通孔封装，核心规格包括620V的漏源电压（Vdss）和3.8A的连续漏极电流（Id），为中等功率应用提供了坚实的电压和电流处理能力。

其技术优势体现在优异的开关性能与导通特性上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至2欧姆，有效降低了导通损耗。同时，极低的栅极电荷（22nC）确保了快速的开关瞬态，有利于提升开关频率和整体能效。这些特性使其成为离线式开关电源、电机驱动和照明电子等应用中高效、可靠的功率开关解决方案。