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M93C56-RDS6G

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 2KBIT MICROWIRE 8TSSOP
原厂封装:封装:8-TSSOP
优势价格,M93C56-RDS6G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M93C56-RDS6G的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M93C56-RDS6G是ST意法半导体推出的一款基于EEPROM技术的串行非易失性存储器芯片。该器件采用成熟的浮栅晶体管技术作为其核心存储单元,通过SPI(串行外设接口)与主控制器进行通信,其内部逻辑架构包含地址解码器、数据寄存器、控制逻辑以及高压生成电路,共同确保数据读写的可靠性与准确性。其存储阵列组织为256×8位或128×16位两种可选模式,为系统设计提供了灵活的字节或字操作选择。

该芯片的功能特性突出体现在其宽电压工作范围与稳健的数据保持能力上。其供电电压支持1.8V至5.5V,使其能够无缝兼容从低功耗微控制器到传统5V系统的各类应用平台。在数据写入方面,芯片支持字节写入和页写入操作,典型的字或页写入周期时间为5ms,并在整个工作温度范围(-40°C至85°C)内保证数据的完整性。其1MHz的时钟频率为SPI接口提供了平衡的数据传输速率与系统功耗。值得注意的是,尽管该产品目前已处于停产状态,但在存量系统维护或特定设计中,通过专业的ST芯片代理渠道,依然可以获得可靠的技术支持与供货保障。

在接口与电气参数层面,M93C56-RDS6G通过标准的四线制SPI接口(CS, SCK, SI, SO)进行控制与数据交换,极大简化了与主处理器的连接。其采用8引脚TSSOP表面贴装封装,具有紧凑的物理尺寸(4.40mm宽),非常适合空间受限的便携式或高密度PCB设计。芯片内置的写使能锁存器和写保护功能,配合上电复位电路,有效防止了在上电、掉电或噪声干扰等不稳定情况下对存储数据的误写操作,提升了系统的鲁棒性。

凭借其非易失性、接口简单、功耗低及可靠性高的特点,M93C56-RDS6G典型应用于需要存储配置参数、校准数据、用户设置或事件日志的各类电子系统中。常见的应用场景包括工业控制模块、汽车电子子系统(如仪表盘、车身控制模块)、智能电表、通信设备以及消费类电子产品。在这些领域,它作为关键的小容量数据存储单元,为系统提供了断电后数据不丢失的保障,是构建稳定、可配置嵌入式系统的重要组件之一。

  • 型号:M93C56-RDS6G
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-TSSOP
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 2KBIT MICROWIRE 8TSSOP
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:2Kb
  • 存储器组织:256 x 8,128 x 16
  • 存储器接口:Microwire
  • 时钟频率:1 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:5ms
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-TSSOP
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M93C56-RDS6G是STMicroelectronics生产的一款2Kbit串行EEPROM存储器。该器件采用SPI接口,最高时钟频率可达1MHz,并提供1.8V至5.5V的宽电压工作范围,确保了其在多种供电环境下的兼容性与适用性。

其存储结构可配置为256×8位或128×16位,支持字节及页写入模式,典型写入时间为5ms。芯片采用8-TSSOP表面贴装封装,工作温度范围覆盖-40°C至85°C,适用于对空间和可靠性有要求的工业、汽车及消费类电子应用,用于存储关键的系统参数与配置数据。

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