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M93C56-WMN6TP

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 2KBIT MICROWIRE 8-SOIC
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,M93C56-WMN6TP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M93C56-WMN6TP的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M93C56-WMN6TP 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)设计生产的串行EEPROM存储器芯片。该器件采用成熟的CMOS EEPROM技术构建,其核心架构围绕一个组织为256 x 8位或128 x 16位的2Kb存储阵列。这种双组织模式为系统设计提供了灵活性,允许微控制器根据其数据总线宽度(8位或16位)选择最合适的访问模式,从而优化代码效率和存储空间利用率。芯片内部集成了必要的地址解码器、数据寄存器以及高压生成电路,确保在单电源供电下能可靠地完成擦除和编程操作。

该芯片通过标准的四线制SPI(串行外设接口)与主机控制器通信,支持高达2MHz的时钟频率,实现了快速的数据传输。其宽电压工作范围(2.5V至5.5V)使其能够无缝兼容3.3V和5V逻辑系统,增强了设计的通用性。在数据可靠性方面,器件提供了超过一百万次的擦写周期和长达40年的数据保存期限,确保了关键参数在产品的整个生命周期内都能被安全、持久地存储。其写周期时间典型值为5ms,在写入操作期间,芯片会自动进入写保护状态,防止数据被意外修改。

在接口与电气参数层面,M93C56-WMN6TP展现出高度的稳健性。除了宽电压支持,其工作温度范围覆盖了工业级的-40°C至85°C,能够适应苛刻的环境条件。芯片采用8引脚SOIC封装,符合表面贴装(SMT)工艺要求,便于自动化生产并节省电路板空间。对于需要稳定供应链和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST代理渠道获取该产品及相关设计资源。其提供的卷带(TR)和剪切带(CT)包装选项也满足了不同规模生产的需求。

凭借其非易失性、高可靠性及易于集成的特点,M93C56-WMN6TP非常适合应用于需要存储配置参数、校准数据或用户设置的各种电子系统中。典型应用场景包括工业控制模块(如PLC、传感器变送器)、汽车电子(如车身控制模块、仪表盘)、消费电子产品(如智能家电、机顶盒)以及通信设备。在这些领域中,它常被用于存储设备ID、网络参数、生产校准值或用户偏好设置,是构建智能化、可配置硬件系统的关键元件之一。

  • 型号:M93C56-WMN6TP
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 2KBIT MICROWIRE 8-SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:已验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:2Kb
  • 存储器组织:256 x 8,128 x 16
  • 存储器接口:Microwire
  • 时钟频率:2 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:5ms
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:2.5V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 想获取M93C56-WMN6TP的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M93C56-WMN6TP 是ST意法半导体推出的一款2Kb容量串行EEPROM存储器。该器件采用SPI接口,时钟频率最高可达2MHz,支持灵活的数据组织方式(256 x 8位或128 x 16位),便于与不同架构的微控制器高效对接。

其核心优势在于宽泛的2.5V至5.5V工作电压范围-40°C至85°C的工业级工作温度,确保了在多样化的供电环境和严苛的温度条件下都能稳定运行。器件提供超过100万次的擦写周期和40年的数据保存能力,并采用8-SOIC表面贴装封装,适合对可靠性、耐用性和空间有要求的自动化生产应用。

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