BZW04-376B

BZW04-376B是ST意法半导体（STMicroelectronics）推出的TRANSIL系列瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用经典的DO-15（DO-204AC）轴向封装。该器件专为保护敏感电子电路免受瞬态过电压事件（如感性负载切换、静电放电或雷击感应浪涌）的损害而设计。其核心架构基于先进的硅雪崩击穿技术，通过一个双向通道实现对正负两个方向瞬态电压的有效箝位，确保被保护线路的电压被迅速限制在安全水平以下。

该器件的关键电气特性使其在高压保护应用中表现出色。其反向断态工作电压（VRWM）典型值为376V，能够无缝集成在常规工作电压较高的线路中。当瞬态事件发生时，其最小击穿电压（VBR）为418V，确保在正常工作电压下不会误动作。在承受标准10/1000s测试波形、峰值脉冲电流（IPP）为800mA的冲击时，其最大箝位电压（VC）被严格限制在603V，这一低箝位比特性意味着它能将过压尖峰的能量高效地旁路吸收，从而为后端电路提供坚实的保护屏障。其峰值脉冲功率（PPP）高达400W，展现了强大的浪涌吸收能力。

除了优异的箝位性能，BZW04-376B在1MHz频率下的典型结电容仅为35pF，这一低电容值对于高速数据线或通信线路的保护至关重要，它能最大限度地减少对信号完整性的影响，避免信号衰减或失真。其通孔安装方式（DO-15）提供了稳固的机械连接和出色的散热路径，适合在要求高可靠性的工业或汽车应用中使用。作为ST意法半导体的标准产品，用户可以通过其授权的ST代理渠道获取原装正品和技术支持。

基于其通用型的产品定位和稳健的参数设计，BZW04-376B适用于广泛的工业和消费电子领域。典型应用场景包括交流电源输入端的次级保护、工业控制系统的I/O端口保护、电信设备接口的浪涌防护，以及任何需要应对中高压瞬态干扰的电子模块。它为设计工程师提供了一种经过验证的、高性价比的电路保护解决方案，有效提升终端产品的可靠性和耐用性。

• 型号:BZW04-376B
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DO-204AC（DO-15）
• 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
• 描述:TVS DIODE 376VWM 603VC DO204AC
• 包装:剪切带（CT）
• 产品状态:停产
• 类型:齐纳
• 单向通道:-
• 双向通道:1
• 电压 - 反向断态（典型值）:376V
• 电压 - 击穿（最小值）:418V
• 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:603V
• 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):800mA
• 功率 - 峰值脉冲:400W
• 电源线路保护:无
• 应用:通用
• 不同频率时电容:35pF @ 1MHz
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:DO-204AC，DO-15，轴向
• 供应商器件封装:DO-204AC（DO-15）
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BZW04-376B是ST意法半导体生产的一款通用型双向TVS二极管，属于TRANSIL产品系列。该器件采用DO-15轴向封装，核心功能是抑制瞬态过电压，为电子线路提供可靠的保护。

其关键参数定义了卓越的保护性能：376V的反向工作电压使其适用于高压环境；在800mA的10/1000s标准浪涌冲击下，能将电压箝位在最大值603V，展现出强大的能量吸收和电压限制能力。同时，仅35pF的低电容特性确保了对高速信号线路的保护而不会引入显著的信号完整性劣化。