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M93C66-WMN6T的图片

M93C66-WMN6T

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 4KBIT MICROWIRE 8SOIC
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,M93C66-WMN6T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M93C66-WMN6T的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M93C66-WMN6T是一款由ST意法半导体(STMicroelectronics)设计生产的串行EEPROM存储器芯片。该器件采用成熟的CMOS EEPROM技术构建,其核心架构围绕一个非易失性的存储阵列组织,容量为4Kb,并可通过软件指令灵活配置为512 x 8位或256 x 16位的组织形式。这种设计使得它既能适应传统的8位微控制器数据总线,也能兼容需要16位数据宽度的应用,为系统设计提供了便利。

该芯片通过标准的四线制SPI(串行外设接口)与主控制器通信,最高时钟频率可达2MHz,确保了在需要频繁读写配置参数或记录数据的系统中,能够实现快速的数据交换。其工作电压范围宽达2.5V至5.5V,这使得它能够无缝应用于从3.3V到5V的各种主流逻辑电平系统中,具备出色的电源兼容性。在数据可靠性方面,芯片内置了写保护功能,并支持字节写和页写操作,其中页写模式可以一次性写入最多16字节的数据,提升了批量数据存储的效率。写周期时间典型值为5ms,符合EEPROM器件的典型特性,适用于对实时性要求不极端苛刻的参数存储场景。

在接口与电气参数层面,M93C66-WMN6T展现了良好的环境适应性。其工作温度范围覆盖工业级的-40°C至85°C,能够满足绝大多数工业和消费类电子产品在苛刻环境下的稳定运行需求。芯片采用表面贴装型的8引脚SOIC封装,封装宽度为3.90mm,占板面积小,非常适合空间紧凑的现代电子设计。虽然该产品目前已处于停产状态,但在许多现有系统和备件供应中仍有应用需求,通过正规的ST代理商渠道仍可获取库存或替代方案咨询。

基于其非易失存储、SPI接口、宽电压及工业级温度范围的特点,M93C66-WMN6T典型应用于需要存储校准数据、用户设置、运行日志或小型查找表的领域。例如,在汽车电子中的传感器模块参数存储、工业控制设备的配置信息保存、智能家电的功能设定记忆,以及通信模块的序列号存储等场景中,它都能提供可靠的数据保持能力,确保系统断电后关键信息不丢失。

  • 型号:M93C66-WMN6T
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 4KBIT MICROWIRE 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:4Kb
  • 存储器组织:512 x 8,256 x 16
  • 存储器接口:Microwire
  • 时钟频率:2 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:5ms
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:2.5V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 想获取M93C66-WMN6T的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M93C66-WMN6T是ST意法半导体推出的一款4Kb容量串行EEPROM存储器。它采用标准的SPI接口,最高通信频率为2MHz,支持灵活的数据组织格式(512 x 8位或256 x 16位),便于与各种微控制器连接。

该器件工作电压范围宽(2.5V至5.5V),并具备工业级工作温度范围(-40°C至85°C),确保了在多样化的电源环境和苛刻的温度条件下稳定运行。其页写功能和5ms的典型写周期时间,平衡了数据写入效率与可靠性,适用于需要频繁更新且断电后需永久保存的系统参数存储场景。

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