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M95080-DRDW8TP/K

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 8KBIT SPI 20MHZ 8TSSOP
原厂封装:封装:8-TSSOP
优势价格,M95080-DRDW8TP/K的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M95080-DRDW8TP/K的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M95080-DRDW8TP/K 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)设计生产的串行EEPROM存储器芯片,隶属于其通过AEC-Q100认证的汽车级产品系列。该器件采用成熟的EEPROM技术,提供了8Kb(即1K x 8位)的非易失性存储空间,数据在掉电后仍可长期保持,为系统关键参数、配置信息或运行日志的存储提供了可靠保障。其核心架构基于一个高度集成的存储阵列和标准SPI串行接口控制器,确保了与各类微控制器或处理器的无缝、高效连接。

该芯片的功能特点突出体现在其宽电压范围与高可靠性上。其工作电压范围为1.8V至5.5V,使其能够轻松兼容从低功耗微控制器到传统5V系统的多种供电环境,极大增强了设计的灵活性。高达20MHz的SPI时钟频率确保了快速的数据读写能力,能够满足对实时性有较高要求的应用场景。同时,其页写操作和4ms的典型写周期时间,在保证数据写入可靠性的前提下,优化了整体数据更新效率。对于需要稳定供应链和技术支持的客户,可以通过ST授权代理获取正品器件及相关设计资源。

在接口与关键参数方面,M95080-DRDW8TP/K采用标准的四线制SPI接口(SCK, SI, SO, CS),支持Mode 0和Mode 3两种时钟极性/相位模式,兼容性广泛。其工作温度范围覆盖-40°C至105°C的扩展工业级标准,尤其符合汽车电子应用的严苛环境要求。器件采用节省空间的8引脚TSSOP表面贴装封装,适合高密度PCB板设计。此外,该芯片内置了写保护功能和状态寄存器,允许通过软件指令锁定存储阵列,防止意外写入,增强了数据的安全性。

凭借其汽车级认证、宽温操作和稳定的非易失存储特性,M95080-DRDW8TP/K非常适用于对可靠性和耐久性有严格标准的领域。典型的应用场景包括汽车电子系统中的车身控制模块(BCM)、仪表盘、传感器数据记录,以及工业控制、智能电表、医疗设备和消费类电子产品中的参数存储与设备配置。其稳健的设计使其成为需要在小尺寸、低功耗和高可靠性之间取得平衡的嵌入式系统的理想存储解决方案。

  • 型号:M95080-DRDW8TP/K
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-TSSOP
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 8KBIT SPI 20MHZ 8TSSOP
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:8Kb
  • 存储器组织:1K x 8
  • 存储器接口:SPI
  • 时钟频率:20 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:4ms
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-TSSOP
  • 想获取M95080-DRDW8TP/K的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M95080-DRDW8TP/K 是意法半导体推出的一款8Kb容量串行EEPROM存储器,采用标准SPI接口,最高时钟频率可达20MHz,实现高速数据交换。其宽电压供电范围(1.8V至5.5V)提供了出色的电源兼容性,适用于多种混合电压系统设计。

该器件属于通过AEC-Q100认证的汽车级产品系列,工作温度范围达-40°C至105°C,确保在恶劣环境下稳定运行。其4ms的典型写周期时间和非易失性存储特性,为关键数据的可靠保存与快速更新提供了保障,是汽车电子、工业控制及高可靠性消费电子应用的优选存储方案。

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