M95080-DRMF3TG/K

M95080-DRMF3TG/K是一款由ST意法半导体推出的8Kb串行EEPROM存储器芯片，采用先进的CMOS技术制造，其核心架构基于稳定可靠的1K x 8位存储阵列。该器件通过高效的SPI（串行外设接口）与主控制器通信，支持高达20MHz的时钟频率，确保了高速数据读写能力。其内部集成了地址和数据寄存器、控制逻辑以及高压生成电路，实现了在单电源电压下完成编程操作，简化了系统设计。

该芯片具备一系列突出的功能特性。宽电压工作范围（1.8V至5.5V）使其能够无缝兼容多种逻辑电平，广泛应用于从低功耗设备到标准5V系统的各种场景。卓越的耐用性和数据保持能力是其关键优势，支持超过400万次的擦写周期，数据保存期限可长达40年，为关键参数的存储提供了坚实保障。其全温度范围工作能力（-40°C至125°C）并通过了AEC-Q100认证，标志着它完全满足汽车电子及其他严苛工业环境对可靠性的最高要求。对于需要稳定供应的项目，可以通过授权的ST代理商获取原装正品和技术支持。

在接口与参数方面，M95080-DRMF3TG/K采用标准的四线制SPI接口（SI, SO, SCK, CS），支持模式0和模式3，提供了灵活的主机连接方式。其页写模式允许一次性写入最多32字节，配合仅4ms的典型写周期时间，显著提升了数据存储效率。芯片提供写保护功能，通过软件指令或利用专用的写保护引脚（W）可防止误写操作，增强了数据安全性。其采用紧凑的8引脚MLP（微型引线框架封装）表面贴装封装，节省了宝贵的PCB空间，非常适合空间受限的现代电子设备。

凭借其高可靠性、宽电压兼容性和汽车级品质，M95080-DRMF3TG/K是众多应用场景的理想选择。在汽车电子领域，它常用于存储车辆识别码（VIN）、里程数据、传感器校准参数以及娱乐系统配置。在工业控制中，可用于存储设备配置、生产日志和故障代码。此外，在消费电子、通信模块、智能仪表以及医疗设备中，它都能为系统提供稳定、非易失的数据存储解决方案，确保信息在断电后依然完整可靠。

• 型号:M95080-DRMF3TG/K
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-MLP（2x3）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC EEPROM 8KBIT SPI 20MHZ 8MLP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:EEPROM
• 技术:EEPROM
• 存储容量:8Kb
• 存储器组织:1K x 8
• 存储器接口:SPI
• 时钟频率:20 MHz
• 写周期时间 - 字，页:4ms
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-WFDFN 焊盘
• 供应商器件封装:8-MLP（2x3）
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M95080-DRMF3TG/K是ST意法半导体推出的一款8Kb容量串行EEPROM存储器，采用SPI接口，支持高达20MHz的通信速率。该器件设计用于满足高可靠性应用需求，其工作电压范围宽达1.8V至5.5V，具备优异的兼容性。

作为通过AEC-Q100认证的汽车级产品，它可在-40°C至125°C的极端温度范围内稳定工作，并拥有超过400万次的擦写周期及长达40年的数据保存期限。其紧凑的8-WFDFN表面贴装封装和高效的页写功能，使其成为汽车电子、工业控制及各类需要可靠参数存储应用的理想选择。