STF20N20

STF20N20是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔TO-220FP封装，专为高效率、高可靠性的功率开关应用而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，通过先进的沟槽栅极工艺，在保证高击穿电压的同时，显著降低了器件的导通损耗和开关损耗，为系统整体能效的提升提供了坚实的基础。

该MOSFET具备出色的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）高达200V，确保了在工业级电压环境下稳定工作的能力。在25°C环境温度下，连续漏极电流（Id）额定值为18A，展现出强大的电流处理能力。一个关键的性能指标是其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、10A漏极电流条件下，其Rds(on)最大值仅为125毫欧，这意味着在导通状态下产生的功率损耗极低，有助于减少发热并提升系统效率。此外，其栅极电荷（Qg）最大值控制在39nC @ 10V，结合940pF @ 25V的输入电容（Ciss），共同决定了其快速的开关速度，有利于在高频开关电源中降低开关损耗。

在接口与参数方面，STF20N20的栅极驱动电压（Vgs）标准为10V，最大允许范围为±20V，为驱动电路设计提供了充足的裕量。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V @ 250A，具有较好的噪声抑制能力。器件的最大功率耗散为25W（基于管壳温度Tc），其宽泛的工作结温（TJ）范围从-55°C延伸至150°C，确保了其在严苛环境下的鲁棒性。用户可通过授权的ST代理获取详细的技术资料与供应链支持。

凭借200V的耐压和18A的电流能力，这款器件非常适用于需要中等功率等级的开关应用。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的初级侧或次级侧整流与同步整流、电机驱动控制电路中的H桥或半桥拓扑、不间断电源（UPS）的功率转换模块，以及各类工业逆变器和DC-DC转换器。其TO-220FP封装提供了良好的机械强度和散热性能，便于通过散热器进行热管理，是构建紧凑、高效功率系统的可靠选择。

• 型号:STF20N20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:125 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:39 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:940 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF20N20是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET II产品系列。该器件采用TO-220FP通孔封装，核心电气参数包括200V的漏源电压（Vdss）和18A的连续漏极电流（Id），为功率开关应用提供了坚实的电压与电流基础。

其技术优势主要体现在低损耗特性上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为125毫欧 @ 10A，能有效降低导通状态下的功率耗散。同时，39nC的栅极电荷（Qg）有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗。这些特性共同优化了器件在频繁开关状态下的整体效率。

该器件设计工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功率耗散为25W（Tc），确保了在 demanding 环境下的稳定性和可靠性，适用于开关电源、电机驱动及各类功率转换系统。