STU2N95K5

作为ST意法半导体SuperMESH5产品系列中的一员，STU2N95K5是一款采用N沟道技术的功率MOSFET，其核心架构基于先进的平面工艺，并集成了第五代SuperMESH技术。该技术通过优化单元结构和沟槽设计，在保持高击穿电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），从而实现了优异的开关效率与功率密度平衡。其设计旨在满足高电压、高效率应用中对开关损耗和热管理的严格要求。

该器件具备950V的高漏源击穿电压（Vdss），使其能够在严苛的电压应力环境下稳定工作，有效抑制电压尖峰带来的风险。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为2A，结合仅5欧姆的最大导通电阻（在1A，10V条件下），确保了在导通状态下较低的功率损耗。其栅极驱动设计友好，最大栅源电压（Vgs）为30V，而典型的栅极阈值电压（Vgs(th)）较低，最大值在100A漏极电流下为5V，配合低至10nC的栅极总电荷（Qg），这有助于简化驱动电路设计，并实现快速开关，减少开关过程中的能量损失。此外，其输入电容（Ciss）在100V条件下最大值为105pF，较低的电容特性进一步提升了高频开关性能。

在封装与可靠性方面，STU2N95K5采用通孔安装的IPAK（TO-251）封装，这种封装形式具有良好的机械强度和散热能力。器件的最大功率耗散为45W（基于壳温），工作结温范围宽广，从-55°C延伸至150°C，保证了其在各种环境温度下的稳定性和长寿命。对于需要可靠供应链和技术支持的中国市场客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关特性，该MOSFET非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及工业电机驱动辅助电源等场景。在这些应用中，它能够有效提升系统整体能效，并增强对高压瞬态的耐受能力，是工程师设计高可靠性、高效率功率转换系统的优选元件之一。

• 型号:STU2N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 2A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:105 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STU2N95K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH5产品系列。该器件设计用于高电压开关应用，其核心优势在于提供了高达950V的漏源击穿电压（Vdss），同时保持了较低的导通电阻，在1A电流和10V栅极驱动下典型值仅为5欧姆，这有助于显著降低导通损耗。

此外，该MOSFET具备快速的开关性能，其最大栅极电荷（Qg）低至10nC，有利于实现高效率的功率转换。器件采用坚固的IPAK（TO-251）通孔封装，最大功耗为45W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的可靠运行。这些特性使其成为开关电源、照明和工业控制等应用中理想的功率开关解决方案。