STL15N3LLH5

作为ST意法半导体STripFET系列的一员，STL15N3LLH5是一款采用先进功率MOSFET技术的N沟道器件。其核心架构基于优化的垂直沟槽工艺，旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。该设计通过精细的单元结构优化，有效降低了单位面积的导通损耗，同时确保了栅极电荷的精确控制，为高效率功率转换奠定了基础。

该器件在30V的漏源电压（Vdss）下，能够提供高达15A的连续漏极电流（Tc条件下）。其关键特性在于极低的导通电阻，在10V栅源电压（Vgs）和7.5A漏极电流（Id）条件下，Rds(on)最大值仅为5.4毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其栅极驱动设计兼容性强，标准4.5V至10V的逻辑电平即可实现高效驱动，最大栅源电压（Vgs）可承受±22V，提供了良好的鲁棒性。此外，其栅极电荷（Qg）在4.5V时最大值为12nC，结合1500pF的输入电容（Ciss），共同决定了快速的开关速度和较低的驱动损耗，适合高频应用。

在封装与热管理方面，STL15N3LLH5采用了表面贴装型的PowerFlat（3.3x3.3）封装。这种紧凑的封装形式不仅节省了宝贵的PCB空间，其底部的裸露焊盘（Exposed Pad）也极大地优化了热传导路径，使得器件在高达150°C的结温（TJ）下仍能可靠工作，最大功率耗散在壳温（Tc）条件下可达50W。用户如需获取此型号的库存或技术支援，可通过官方ST授权代理渠道进行咨询。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计选型时应考虑其替代方案。

综合其电气参数与物理特性，这款MOSFET非常适用于空间受限且对效率要求苛刻的DC-DC转换器、电机驱动控制、电池保护电路以及各类负载开关等应用场景。其优异的导通与开关性能组合，使其成为中低电压、中高电流功率路径管理的理想选择之一。

• 型号:STL15N3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 15A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.4 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL15N3LLH5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用先进的沟槽工艺制造，在30V的漏源电压（Vdss）额定值下，可支持高达15A的连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通电阻（Rds(on)典型值低至毫欧级）和优化的栅极电荷，旨在最大限度地降低传导与开关损耗。

器件采用节省空间的PowerFlat表面贴装封装，具有良好的热性能，适用于高功率密度设计。其驱动门槛电压（Vgs(th)）设计适用于标准逻辑电平控制，主要面向高效率DC-DC转换、电机驱动及电源管理应用。请注意，该产品目前已标记为停产状态。