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STTH512B-TR的图片

STTH512B-TR

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分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:DIODE STANDARD 1200V 5A DPAK
原厂封装:封装:DPAK
优势价格,STTH512B-TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STTH512B-TR的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STTH512B-TR是ST意法半导体推出的一款高性能通用整流二极管,采用先进的快速恢复技术平台设计。该器件基于优化的PIN结构,通过精确的载流子寿命控制和结终端技术,实现了高反向击穿电压与快速开关特性的良好平衡。其核心架构旨在最小化反向恢复过程中的电荷存储,从而显著降低开关损耗,这对于提升高频开关电源的整体效率至关重要。

该二极管具备多项突出的功能特性。其1200V的最大反向重复电压5A的平均正向电流能力,使其能够承受严苛的电压应力和处理可观的功率等级。在5A的额定电流下,正向压降典型值仅为2.2V,这有助于降低导通损耗,提升能效。尤为关键的是其快速恢复性能,反向恢复时间(trr)典型值低至95ns,这使其成为高频应用的理想选择,能有效抑制由二极管反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰(EMI)。此外,在1200V反向电压下,其反向漏电流典型值仅为5A,体现了优异的阻断能力和高温下的稳定性。

在接口与参数方面,STTH512B-TR采用表面贴装型DPAK(TO-252-3)封装,这种封装具有良好的功率耗散能力和机械强度,便于自动化生产焊接。其紧凑的尺寸适合高密度PCB布局。用户可以通过ST授权代理获取完整的数据手册、SPICE模型以及应用支持,以确保设计符合规范。器件的电气参数,包括正向特性、反向恢复特性及热阻等,均在数据手册中有详细规定,为工程师进行精确的损耗计算和热管理设计提供了可靠依据。

凭借其高耐压、快速恢复和稳健的封装,该器件广泛应用于各种需要高效整流的场合。典型应用包括开关模式电源(SMPS)的PFC(功率因数校正)电路、逆变器、电机驱动器的续流或缓冲电路、UPS(不间断电源)以及工业焊接设备。在这些场景中,它能够有效处理高频开关动作,提升系统效率与可靠性,是工程师设计高性能、高可靠性功率电子系统的优选元件之一。

  • 型号:STTH512B-TR
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:DPAK
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE STANDARD 1200V 5A DPAK
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):5A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):2.2 V @ 5 A
  • 速度:快速恢复 =\< 500ns,\> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):95 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 A @ 1200 V
  • 不同Vr、F 时电容:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
  • 供应商器件封装:DPAK
  • 工作温度 - 结:175°C(最大)
  • 想获取STTH512B-TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STTH512B-TR是ST意法半导体生产的一款1200V、5A通用快速恢复整流二极管。该器件采用表面贴装DPAK封装,专为要求高效率和高可靠性的应用而设计。

其核心优势在于优异的快速恢复性能,典型反向恢复时间(trr)为95ns,能显著降低高频开关应用中的开关损耗和噪声。同时,在5A额定电流下仅2.2V的低正向压降有助于优化导通损耗,而1200V的高反向耐压确保了在高压环境下的稳定运行。

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