M95080-WDW6TP

M95080-WDW6TP是ST意法半导体推出的一款基于成熟EEPROM技术的串行非易失性存储器芯片。该器件采用先进的CMOS工艺制造，内部核心架构集成了高可靠性的存储单元阵列、精密电压生成电路、以及一个高效的SPI串行接口控制器。其存储阵列组织为1K x 8位（总计8Kb容量），通过内置的地址锁存器和数据寄存器，能够实现快速、有序的数据读写操作。芯片内部集成了完善的写保护逻辑和状态寄存器，确保了数据操作的安全性与可控性。

该芯片的功能特点突出体现在其高性能与高可靠性上。它支持高达20MHz的时钟频率，使得数据吞吐率显著提升，尤其适合需要频繁或快速存取配置参数、日志数据的应用。宽电压供电范围（2.5V至5.5V）使其能够无缝兼容3.3V和5V系统，增强了设计的灵活性。其页写模式允许在一次操作中连续写入最多32字节的数据，配合5ms的典型写周期时间，有效提高了数据存储效率并减少了主机干预。此外，器件提供了超过100万次的擦写周期和超过40年的数据保存期限，保证了在严苛环境下的长期数据完整性。

在接口与关键参数方面，M95080-WDW6TP采用标准的四线制SPI接口（SI, SO, SCK, CS），支持模式0和模式3，易于与各种微控制器或处理器连接。其工作温度范围覆盖工业级的-40°C至85°C，采用节省空间的8引脚TSSOP表面贴装封装，非常适合空间受限的紧凑型设计。对于需要稳定可靠供应链的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取原厂正品和技术支持。

基于上述特性，M95080-WDW6TP非常适合应用于需要可靠存储小规模但关键数据的场景。典型应用包括汽车电子中的传感器数据校准、事件记录器，工业控制系统的参数设置与设备状态存储，消费电子产品中的用户配置保存，以及智能电表、物联网节点等设备中的固件备份或运行数据记录。其高速度、高耐用性和宽温特性，使其成为众多嵌入式系统中非易失性存储解决方案的可靠选择。

• 型号:M95080-WDW6TP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-TSSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC EEPROM 8KBIT SPI 20MHZ 8TSSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:已验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:EEPROM
• 技术:EEPROM
• 存储容量:8Kb
• 存储器组织:1K x 8
• 存储器接口:SPI
• 时钟频率:20 MHz
• 写周期时间 - 字，页:5ms
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.5V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
• 供应商器件封装:8-TSSOP
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M95080-WDW6TP是ST意法半导体生产的一款8Kb容量串行EEPROM存储器。该器件采用标准的SPI接口，最高时钟频率可达20MHz，实现了高速数据通信。其供电电压范围宽达2.5V至5.5V，兼容性强，便于集成到不同的电源系统中。

芯片提供32字节的页写能力，典型写周期时间为5ms，并保证超过100万次的擦写周期及40年的数据保存能力，确保了数据存储的高效与长期可靠。器件采用8-TSSOP封装，工作温度范围为-40°C至85°C，适用于对空间和可靠性有严格要求的工业、汽车及消费类电子产品。