M95160-DFMN6TP

作为ST意法半导体存储器产品线中的一员，M95160-DFMN6TP是一款基于成熟EEPROM技术的串行非易失性存储器芯片。其内部架构采用经典的2K x 8位存储阵列组织，总容量为16Kb，通过高效的电荷泵电路和灵敏放大器设计，确保了数据读写的可靠性与稳定性。芯片集成了状态寄存器和地址计数器，支持灵活的页编程与字节操作，其内置的写保护逻辑和上电复位电路为数据安全提供了硬件层面的保障。

该器件最显著的特性之一是其宽电压工作范围，支持1.7V至5.5V的单电源供电，使其能够无缝兼容从低功耗微控制器到传统5V系统的各类平台。其SPI（串行外设接口）支持高达20MHz的时钟频率，提供了高速的数据传输能力，显著提升了系统在参数存储或配置数据读写时的整体效率。同时，其页写周期时间典型值为5ms，并具备超过100万次的擦写周期以及长达40年的数据保存期限，这些指标共同构成了其在苛刻工业环境下的耐用性基石。工作温度范围覆盖-40°C至85°C，确保了在宽温环境下的稳定运行。

在接口与物理特性方面，芯片采用标准的SPI总线协议，支持模式0和模式3，具备Hold和Write Protect引脚，为多主机环境或防止意外写入提供了便利。其封装为8引脚SOIC，属于表面贴装型，紧凑的封装形式非常适合空间受限的现代电子设计。对于需要可靠供应链的客户，可以通过正规的ST代理商获取原装正品，以确保产品质量和长期供货的稳定性。

凭借上述特性，M95160-DFMN6TP非常适合应用于需要可靠存储小规模但关键数据的场景。例如，在工业自动化领域，用于存储设备校准参数、运行日志或网络节点地址；在消费电子中，用于存储电视、机顶盒或家电产品的用户设置与配置信息；在汽车电子子系统（如车身控制模块、传感器模块）中，存储标定数据与事件记录。其高可靠性、长寿命和宽电压兼容性使其成为工程师在众多嵌入式系统中实现非易失性存储功能的优选方案。

• 型号:M95160-DFMN6TP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC EEPROM 16KBIT SPI 20MHZ 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:EEPROM
• 技术:EEPROM
• 存储容量:16Kb
• 存储器组织:2K x 8
• 存储器接口:SPI
• 时钟频率:20 MHz
• 写周期时间 - 字，页:5ms
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
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M95160-DFMN6TP是ST意法半导体推出的一款16Kb容量串行EEPROM存储器。该芯片采用SPI接口，支持高达20MHz的通信时钟频率，能够实现快速的数据读写操作。其宽电压供电范围（1.7V至5.5V）使其具备出色的电源兼容性，可适应从低功耗到标准电压的各种微控制器系统。

该器件提供卓越的可靠性与耐用性，典型页写入时间为5ms，并保证超过100万次的擦写周期以及长达40年的数据保存能力。其工作温度范围为-40°C至85°C，并采用紧凑的8-SOIC表面贴装封装，这些特性共同使其成为工业控制、消费电子及汽车辅助系统等应用中，存储关键配置参数、校准数据或事件日志的理想非易失性存储解决方案。