SCTW90N65G2V

SCTW90N65G2V是ST意法半导体基于先进的碳化硅（SiC）技术平台开发的一款N沟道功率场效应晶体管（FET）。该器件采用HiP247封装，代表了在高功率密度和高效率应用领域的前沿解决方案。其核心架构利用了宽禁带半导体材料碳化硅的优异物理特性，相较于传统的硅基MOSFET，能够在更高的开关频率、更高的阻断电压和更高的工作温度下稳定运行，从而显著降低系统的开关损耗和导通损耗。

该器件具备一系列卓越的功能特性。高达650V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级三相交流输入或PFC（功率因数校正）电路中的高压应力环境。在25°C壳温（Tc）下，其连续漏极电流（Id）额定值高达90A，结合低至25毫欧（典型值，在50A，18V条件下）的导通电阻（Rds(on)），确保了在大电流工作状态下依然保持极低的传导损耗。其栅极驱动设计兼容性强，最大栅源电压（Vgs）为+22V/-10V，标准18V驱动即可实现最优性能，而最大栅极电荷（Qg）仅为157nC，这直接转化为更快的开关速度和更低的驱动损耗，对于提升系统整体效率至关重要。

在接口与关键参数方面，SCTW90N65G2V展现了优异的综合性能。其输入电容（Ciss）在400V偏压下最大值为3300pF，与低栅极电荷共同优化了开关动态特性。器件支持高达200°C的结温（Tj）工作，并具备390W（Tc）的最大功率耗散能力，赋予了系统设计更高的热冗余和可靠性。通孔安装的HiP247封装专为高功率应用优化，提供了出色的散热性能和机械坚固性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取该产品及相关设计资源。

凭借其高性能指标，SCTW90N65G2V非常适用于对效率和功率密度有严苛要求的应用场景。它是服务器/数据中心电源、通信电源、工业电机驱动、太阳能光伏逆变器以及电动汽车车载充电机（OBC）等系统中高压功率开关环节的理想选择。在这些应用中，它能够有效减小磁性元件的体积和重量，提升系统能效，并增强在高温环境下的长期运行可靠性。

• 型号:SCTW90N65G2V
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:HiP247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 650V 90A HIP247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 50A，18V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:157 nC @ 18 V
• Vgs（最大值）:+22V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3300 pF @ 400 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:390W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:HiP247
• 封装/外壳:TO-247-3
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SCTW90N65G2V是ST意法半导体推出的一款采用HiP247封装的N沟道碳化硅场效应晶体管（SiCFET）。该器件集成了宽禁带半导体技术的优势，旨在为高功率应用提供高效率和高可靠性的解决方案。

其核心参数包括650V的漏源电压（Vdss）和90A（Tc）的连续漏极电流（Id）额定值，确保了强大的功率处理能力。同时，其导通电阻（Rds(on)）低至25毫欧（@50A，18V），结合仅157nC的栅极电荷（Qg），显著降低了导通与开关损耗，提升了系统整体能效。器件支持-55°C至200°C的宽结温工作范围，适用于严苛环境。