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M95640-DRDW8TP/K

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 64KBIT SPI 8TSSOP
原厂封装:封装:8-TSSOP
优势价格,M95640-DRDW8TP/K的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M95640-DRDW8TP/K的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M95640-DRDW8TP/K是一款由ST意法半导体推出的64Kb串行EEPROM存储器芯片,采用成熟的非易失性EEPROM技术构建。其核心架构基于一个8K x 8位的存储阵列,通过高效的SPI(串行外设接口)进行数据通信。该接口支持标准SPI模式(模式0和模式3),确保了与广泛微控制器的兼容性。芯片内部集成了必要的地址锁存、数据缓冲以及高电压生成电路,实现了在单电源供电下的自包含编程与擦除操作,简化了系统设计。

该器件具备多项突出的功能特性。其工作电压范围宽达1.8V至5.5V,使其能够无缝适应从低功耗物联网设备到传统5V系统的各种供电环境。16MHz的最大时钟频率提供了高速的数据传输能力,有效提升了系统数据交换效率。在数据可靠性方面,芯片提供了页写操作(支持高达32字节的页写模式)以及典型的4ms写周期时间,并内置了写保护机制,防止意外数据篡改。其耐久性可达百万次写循环,数据保存期限超过40年,确保了关键配置参数和运行数据的长期安全存储。

在接口与电气参数上,M95640-DRDW8TP/K提供了高度的灵活性。除了宽电压范围,其工作温度覆盖-40°C至105°C的工业级范围,并符合AEC-Q100标准,满足汽车电子应用的严苛要求。芯片采用节省空间的8引脚TSSOP表面贴装封装,适合高密度PCB布局。稳定的性能表现使其成为需要可靠ST代理技术支持与稳定供应链的项目的理想选择。用户可通过标准的SPI指令集轻松实现字节读、页读、字节写、页写以及写使能/禁止等全部控制功能。

基于其高可靠性、宽温宽压特性以及符合车规的标准,该芯片非常适合应用于对环境适应性和数据完整性要求极高的领域。主要应用场景包括汽车电子系统中的传感器数据记录、仪表盘配置存储、车身控制模块参数保存;工业环境下的设备配置、校准数据存储、事件日志记录;以及消费电子中的智能电表、家电控制板、物联网节点设备等。其小型化封装也使其在空间受限的便携式医疗设备、穿戴设备中具有应用潜力。

  • 型号:M95640-DRDW8TP/K
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-TSSOP
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 64KBIT SPI 8TSSOP
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:64Kb
  • 存储器组织:8K x 8
  • 存储器接口:SPI
  • 时钟频率:16 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:4ms
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-TSSOP
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M95640-DRDW8TP/K是ST意法半导体推出的一款64Kb容量串行EEPROM存储器,采用SPI接口,时钟频率最高可达16MHz。该芯片基于非易失性EEPROM技术,组织架构为8K x 8位,确保数据在断电后长期保存。

其核心优势在于宽广的1.8V至5.5V工作电压范围-40°C至105°C的扩展工作温度,并符合AEC-Q100车规标准,具备优异的环境适应性。同时,它提供快速的页写操作(典型写周期4ms)和高可靠性(百万次擦写周期,数据保存超40年)。芯片采用8-TSSOP紧凑型封装,适用于表面贴装,是汽车电子、工业控制及高可靠性消费电子应用中存储关键参数的理想解决方案。

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