M95M01-DFDW6TP

作为一款由ST意法半导体推出的高性能串行EEPROM存储器，M95M01-DFDW6TP采用了先进的非易失性存储技术，其核心架构基于128K x 8位的存储阵列组织。该芯片通过高效的SPI（串行外设接口）与主控制器通信，其设计充分考虑了数据完整性与系统可靠性，内部集成了完善的写保护机制和状态寄存器，确保在复杂的嵌入式环境中稳定运行。

该器件具备多项突出的功能特性。其宽电压供电范围（1.7V至5.5V）使其能够无缝兼容从低功耗微控制器到标准5V系统的各类平台，极大地提升了设计的灵活性。同时，高达16MHz的SPI时钟频率显著提升了数据吞吐率，缩短了系统读写存储器的等待时间。在数据保存方面，它提供了超过100万次的擦写周期以及长达40年的数据保存期限，满足了工业级应用对长期可靠性的严苛要求。其页写操作支持最高256字节的连续写入，配合仅5ms的典型写周期时间，优化了固件更新或数据记录等场景的效率。

在接口与电气参数层面，M95M01-DFDW6TP提供了标准的SPI模式0和模式3支持，并具备可选的写保护（WP）引脚和保持（HOLD）引脚，方便主控在总线共享或多任务环境中管理访问流程。其工作温度范围覆盖-40°C至85°C，确保在严苛的工业与汽车电子环境中稳定工作。该芯片采用节省空间的8引脚TSSOP表面贴装封装，适合高密度PCB板设计。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过ST中国代理获取正品器件及相关设计资源。

凭借其高可靠性、高速接口和宽电压适应性，M95M01-DFDW6TP非常适合应用于需要频繁更新或长期保存配置参数、用户数据的场景。典型应用包括工业自动化中的传感器数据记录、智能电表的参数存储、网络通信设备的配置存储、汽车电子的车身控制模块，以及各类消费电子产品的固件备份和用户设置存储。其稳健的性能使其成为工程师在设计中寻求高性价比、高可靠性非易失存储解决方案时的理想选择。

• 型号:M95M01-DFDW6TP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-TSSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC EEPROM 1MBIT SPI 16MHZ 8TSSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:EEPROM
• 技术:EEPROM
• 存储容量:1Mb
• 存储器组织:128K x 8
• 存储器接口:SPI
• 时钟频率:16 MHz
• 写周期时间 - 字，页:5ms
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
• 供应商器件封装:8-TSSOP
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M95M01-DFDW6TP是ST意法半导体推出的一款1Mb容量串行EEPROM存储器。该器件采用SPI接口，最高时钟频率可达16MHz，提供高速的数据读写能力。其宽电压供电范围（1.7V~5.5V）确保了与多种逻辑电平系统的兼容性。

该芯片提供128K x 8位的存储组织方式，支持字节和页写操作，典型页写时间为5ms。其工作温度范围为-40°C至85°C，采用8-TSSOP表面贴装封装，满足工业级应用对可靠性和紧凑型设计的要求，适用于需要可靠非易失性数据存储的各种嵌入式系统。