MD2009DFX

MD2009DFX是ST意法半导体推出的一款高压大功率双极性晶体管（BJT），采用先进的ISOWATT218FX封装。该器件基于成熟的NPN硅工艺构建，其核心设计旨在处理高达700V的集电极-发射极电压（V_CEO）和10A的连续集电极电流，这使其在高压开关和线性放大应用中能够提供稳定可靠的性能。其内部架构经过优化，在高压条件下仍能保持良好的电气隔离和热稳定性，为系统设计提供了坚实的硬件基础。

该晶体管的一个显著特点是其出色的高压耐受能力和高电流处理能力。在饱和状态下，当基极电流为1.4A、集电极电流为5.5A时，其集电极-发射极饱和压降（V_CE(sat)）最大值仅为2.8V，这意味着在导通状态下的功率损耗相对较低，有助于提升整体能效。同时，其集电极截止电流（I_CEO）最大值控制在200A，确保了器件在关断状态下的低泄漏特性。其直流电流增益（h_FE）在5.5A、5V条件下最小值为5，虽然增益值不高，但针对其设计的高压大电流开关应用而言，提供了足够的驱动能力与稳定性。

在接口与关键参数方面，MD2009DFX采用通孔安装的ISOWATT218FX封装，该封装以其出色的电气隔离和散热性能著称，最大功耗可达58W，结合高达150°C的结温（T_J）工作范围，使其能够在恶劣的热环境下持续运行。这些物理和电气参数共同定义了其坚固耐用的产品特性。对于需要可靠高压开关解决方案的客户，通过ST一级代理可以获得原厂技术支持与供应链保障。

鉴于其高压、大电流和强散热能力的组合，MD2009DFX非常适用于对可靠性和鲁棒性要求极高的工业领域。典型的应用场景包括开关模式电源（SMPS）中的高压侧开关、电机驱动与控制电路、不间断电源（UPS）系统以及工业照明镇流器。在这些应用中，它主要承担功率开关或线性放大器的角色，其高击穿电压确保了系统能够应对电网波动或感性负载产生的电压尖峰，而其封装的热性能则保障了长期运行的可靠性。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能指标在特定存量或高可靠性要求的升级项目中仍具有参考价值。

• 型号:MD2009DFX
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3PF
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN 700V 10A TO-3PF
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:NPN
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:10 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:700 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:2.8V @ 1.4A，5.5A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:200A
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:5 @ 5.5A，5V
• 功率 - 最大值:58 W
• 频率 - 跃迁:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-3P-3 整包
• 供应商器件封装:TO-3PF
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MD2009DFX是ST意法半导体生产的一款高压大功率NPN双极性晶体管。其核心电气参数定义了其在高压领域的适用性，包括高达700V的集射极击穿电压和10A的最大集电极电流，能够胜任严苛的功率开关任务。

器件采用ISOWATT218FX通孔封装，最大功耗为58W，并支持最高150°C的结温，确保了出色的散热能力和高温环境下的工作稳定性。其饱和压降和截止电流等参数经过优化，旨在实现高效的功率转换与可靠的控制。