MJD117T4

MJD117T4是ST意法半导体推出的一款采用表面贴装封装的高性能PNP达林顿晶体管。其核心架构基于达林顿对管设计，这种结构将两个双极结型晶体管直接耦合，从而在单颗器件内实现了极高的电流增益。该设计有效降低了驱动电路对基极电流的要求，使得微控制器或逻辑芯片能够轻松驱动较大的负载电流，同时保持了良好的线性度和开关特性。

该器件集成了多项关键功能特性，以满足严苛的工业应用需求。其集电极-发射极击穿电压高达100V，最大集电极电流为2A，能够从容应对各种中高压、中电流的开关与线性调节场景。在饱和状态下，其Vce压降典型值较低，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。高达1000（最小值@2A, 3V）的直流电流增益是其作为达林顿管的显著优势，意味着极小的输入电流即可控制较大的输出电流。此外，其最高结温可达150°C，并采用TO-252-3（DPak）封装，具有良好的散热性能和机械强度，适合在自动化产线上进行回流焊加工。

在电气参数方面，MJD117T4在40mA基极电流下驱动4A集电极电流时，最大饱和压降仅为3V，表现出优异的导通性能。其集电极截止电流低至20A，确保了在关断状态下的低泄漏特性。器件的最大功耗为20W，过渡频率为25MHz，这使其不仅适用于低频开关和线性放大，也能胜任一定频率范围内的中速开关应用。这些参数共同定义了一个高效、可靠的功率开关与驱动解决方案。

基于其稳健的性能参数，MJD117T4广泛应用于需要高效功率控制和接口驱动的领域。典型应用包括电机驱动电路中的预驱动或H桥下管、继电器或电磁阀的线圈驱动、LED照明系统的恒流驱动、以及各类电源中的线性稳压和开关调整环节。其高增益和良好的开关特性也使其成为传感器信号放大和电平转换电路的理想选择。对于需要可靠货源和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取该产品，并得到相关的设计支持与供应保障。

• 型号:MJD117T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 晶体管类型:PNP - 达林顿
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:2 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:100 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:3V @ 40mA，4A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:20A
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:1000 @ 2A，3V
• 功率 - 最大值:20 W
• 频率 - 跃迁:25MHz
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:DPAK
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MJD117T4是ST意法半导体生产的一款表面贴装PNP达林顿晶体管，采用TO-252-3（DPak）封装。该器件集成了达林顿对管结构，实现了极高的电流增益，其最小直流电流增益(hFE)在2A, 3V条件下可达1000，显著降低了对前级驱动电流的要求。

该晶体管设计用于中功率开关与线性应用，关键参数包括100V的集射极击穿电压和2A的最大集电极电流，确保了在高压、大电流环境下的工作可靠性。其最大饱和压降仅为3V @ 40mA, 4A，有助于减少导通损耗。此外，器件支持高达20W的功耗和150°C的结温，结合DPak封装良好的热性能，使其成为电机驱动、负载开关和电源调节等应用的稳健选择。