MJD50T4

MJD50T4是ST意法半导体推出的一款高压NPN双极性晶体管（BJT），采用表面贴装DPak（TO-252）封装。该器件基于成熟的平面工艺技术构建，其核心架构旨在实现高压环境下的可靠开关与线性放大。内部结构经过优化，提供了良好的电流处理能力与热稳定性，使其能够在高达400V的集射极电压下稳定工作，结温（Tj）最高可达150°C，为设计提供了宽裕的安全裕度。

该晶体管的功能特点突出其在高电压、中等电流应用中的实用性。高达400V的V_CEO击穿电压使其非常适合用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧、电子镇流器以及AC-DC转换电路中的开关和驱动环节。1A的连续集电极电流能力，配合典型值仅1V（在Ic=1A， Ib=200mA条件下）的低饱和压降V_CE(sat)，有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效。其直流电流增益（h_FE）在典型工作点（Ic=300mA， V_CE=10V）下最小为30，确保了良好的驱动效率。

在接口与关键参数方面，MJD50T4采用标准的DPak三引脚（发射极、基极、集电极）表面贴装封装，其中集电极与散热片内部连接，便于通过PCB铜箔进行有效散热，实现其最大15W的功耗能力。其集电极截止电流（I_CEO）最大仅为100A，表现出优异的关断特性。10MHz的过渡频率使其能够胜任中速开关应用。对于需要可靠货源与技术支持的设计项目，可以咨询专业的ST一级代理以获取更详细的产品历史数据与替代方案建议。

鉴于其参数特性，MJD50T4典型的应用场景包括家用电器和工业设备的电源管理单元，如电磁炉、空调驱动板的功率开关；照明领域的电子镇流器和LED驱动电源；以及各类需要高压开关或线性放大的电机控制辅助电路。其表面贴装形式符合现代自动化生产的需求，有助于节省PCB空间并降低组装成本。

• 型号:MJD50T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN 400V 1A DPAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:NPN
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:1 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:400 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:1V @ 200mA，1A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:100A
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:30 @ 300mA，10V
• 功率 - 最大值:15 W
• 频率 - 跃迁:10MHz
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:DPAK
• 想获取MJD50T4的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

MJD50T4是ST意法半导体生产的一款NPN型双极性晶体管，采用DPak（TO-252）表面贴装封装。其核心电气参数定位为高压、中等电流开关应用，具备400V的集射极击穿电压和1A的连续集电极电流处理能力。

该器件在1A电流下的饱和压降典型值仅为1V，有助于降低导通损耗。其最大功耗为15W，结合150°C的最高结温，提供了稳健的热性能。10MHz的过渡频率使其适用于中速开关场景，如开关电源初级侧、电子镇流器及各类AC-DC转换电路。