STB13N80K5

STB13N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的卓越平衡，其核心在于通过第五代SuperMESH工艺显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），从而提升了整体能效。

该MOSFET具备800V的高漏源击穿电压（V_DSS），为应对工业环境中的电压尖峰和开关瞬态提供了充裕的安全裕量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值达12A，配合仅450mΩ（典型条件下）的低导通电阻，确保了在导通状态下具有较低的功率损耗。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为5V，有助于防止误触发。同时，较低的栅极电荷（Q_g）最大值29nC与输入电容（C_iss），有助于降低开关损耗，提升高频开关性能，使系统能够在更高频率下运行，从而可能减小外围磁性元件的尺寸。

在接口与参数方面，该器件采用坚固的D2PAK（TO-263）表面贴装封装，具有良好的散热能力和功率处理能力，其最大功率耗散为190W（T_C）。其栅源电压（V_GS）可承受±30V的最大值，增强了驱动电路的鲁棒性。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）使其能够适应苛刻的环境要求。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取该产品及相关设计资源。

凭借高耐压、高效率和高可靠性的特点，STB13N80K5非常适用于要求严苛的功率转换应用场景。它常见于开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关拓扑、工业电机驱动和变频器中的逆变桥臂、UPS（不间断电源）系统以及照明领域的电子镇流器和LED驱动电源。在这些应用中，它能够有效提升系统能效等级，并保证长期运行的稳定性。

• 型号:STB13N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB13N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH5产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心额定参数为800V漏源电压（Vdss）和12A连续漏极电流（Id），专为高效能、高可靠性的功率开关应用而设计。

其技术优势体现在较低的导通电阻（Rds(on)典型值为450mΩ @ 10V）和优化的栅极电荷（Qg最大值29nC），这共同贡献了更低的导通与开关损耗，有助于提升整体系统效率。宽工作温度范围（-55°C至150°C）和190W的功率耗散能力，确保了其在工业级应用中的稳定性和耐用性。