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MJE182

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN 80V 3A SOT-32-3
原厂封装:封装:SOT-32-3
优势价格,MJE182的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MJE182的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

MJE182是ST意法半导体推出的一款中功率NPN双极性结型晶体管,采用经典的TO-126-3(也称为TO-225AA)通孔封装,以其稳健的电气性能和可靠性在工业与消费电子领域获得了广泛应用。该器件基于成熟的硅平面工艺制造,其核心架构旨在实现高电流驱动能力与良好的电压耐受性之间的平衡,内部结构优化了载流子传输效率,确保了在开关和线性放大应用中的稳定表现。

该晶体管具备高达80V的集电极-发射极击穿电压,使其能够从容应对工业控制、电源转换等场景中常见的电压应力。其3A的连续集电极电流处理能力,结合12.5W的最大功耗,使其成为驱动继电器、电机、大功率LED或作为线性稳压器调整管的理想选择。在饱和状态下,当集电极电流为3A、基极驱动电流为600mA时,其集电极-发射极饱和压降典型值较低,这有助于减少器件在开关应用中的导通损耗,提升系统整体效率。其直流电流增益在典型工作点(100mA, 1V)下最小值为50,提供了足够的电流放大能力,简化了驱动电路的设计。

在接口与参数方面,MJE182的标准三引脚(发射极、基极、集电极)通孔封装确保了焊接的牢固性和散热能力,便于在传统PCB板上安装并可能通过散热片进一步增强功率处理。其高达150°C的结温工作范围赋予了它良好的环境适应性。此外,其集电极截止电流极低,有助于降低待机功耗。虽然该器件已处于停产状态,但其设计成熟,性能参数明确,对于许多现有设备的维护、备件更换或对成本敏感的新设计而言,通过可靠的ST一级代理渠道获取原装正品库存,依然是值得信赖的方案。

在应用场景上,凭借80V/3A的规格,MJE182常见于各类离线式或DC-DC开关电源的初级侧开关、电子镇流器、音频功率放大器的输出级,以及汽车电子中的各种控制模块。其50MHz的过渡频率使其也能胜任中频范围的信号放大任务。总的来说,这是一款在功率处理、电压等级和可靠性方面取得均衡的通用型功率晶体管,其技术特性在诸多中压、中电流应用场景中持续发挥着价值。

  • 型号:MJE182
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:SOT-32-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN 80V 3A SOT-32-3
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):80 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):1.7V @ 600mA,3A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):50 @ 100mA,1V
  • 功率 - 最大值:12.5 W
  • 频率 - 跃迁:50MHz
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3
  • 供应商器件封装:SOT-32-3
  • 想获取MJE182的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

MJE182是ST意法半导体生产的一款NPN型双极性功率晶体管,采用TO-126-3通孔封装。其核心电气参数定义了其应用边界:80V的集电极-发射极击穿电压3A的连续集电极电流能力,使其适用于需要中等电压和电流处理的功率开关与放大电路。

该器件在饱和区的压降特性优异,有助于降低导通损耗,其最小直流电流增益为50,确保了有效的电流驱动。最大功耗12.5W,结合高达150°C的结温工作范围,提供了稳健的功率处理能力和热可靠性。这些参数共同使其成为工业控制、电源管理和电机驱动等领域的经典选择。

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