PD20010STR-E

PD20010STR-E是一款由ST意法半导体设计制造的N沟道射频功率LDMOS晶体管，采用先进的横向扩散金属氧化物半导体技术，专为高功率、高效率的射频放大应用而优化。其核心架构基于成熟的硅基LDMOS工艺，在单芯片上实现了优异的功率密度与线性度平衡，内部集成了优化的输入输出匹配网络，旨在简化外部电路设计并提升系统稳定性。

该器件在13.6V的典型工作电压下，能够在高达2GHz的射频频率范围内稳定工作，提供10W的射频输出功率和约11dB的功率增益，展现出强大的信号放大能力。其设计重点在于高功率附加效率，以满足现代通信系统对能耗的严格要求。尽管该型号目前已处于停产状态，但其技术规格在特定应用领域仍具有参考价值，用户可通过专业的ST代理商咨询库存或替代方案信息。

在接口与参数方面，PD20010STR-E采用PowerSO-10RF封装，该封装带有裸露的底部焊盘和两条直引线，这种设计极大地优化了散热性能，确保器件在5A的额定电流和最高40V的漏源电压下可靠运行。其测试电流为150mA，反映了其在特定偏置条件下的工作状态。封装形式也便于在PCB上进行高效的布局和焊接，适合自动化生产。

其典型应用场景集中于需要中等功率放大的射频前端，例如专业移动无线电、甚高频/超高频段的基站功率放大器驱动级、射频能量生成以及某些工业加热和等离子体生成设备。器件在2GHz附近的性能使其适用于部分2G、3G频段以及专网通信系统，其高增益和功率特性有助于减少系统级联的放大器级数，从而简化整体设计并降低成本。

• 型号:PD20010STR-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（直引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:2GHz
• 增益:11dB
• 电压 - 测试:13.6 V
• 额定电流（安培）:5A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:150 mA
• 功率 - 输出:10W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
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PD20010STR-E是ST意法半导体推出的一款N沟道射频功率LDMOS晶体管，采用PowerSO-10RF封装，专为高频、高功率应用设计。该器件在13.6V工作电压下，可于高达2GHz的频率下提供10W的射频输出功率，并具备约11dB的功率增益，展现了优异的信号放大效能。

其核心参数包括40V的额定电压和5A的额定电流，确保了在严苛工作条件下的可靠性。封装底部的裸露焊盘设计显著提升了散热能力，使其适合持续大功率工作。尽管目前已停产，但其技术指标仍适用于要求中等功率输出的射频放大电路，如专业通信设备的功放级。